[发明专利]倒装LED芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201610220840.8 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN105702815B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 林泉;邵小娟;章小飞;朱立钦;杨碧兰 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒装LED芯片 蚀刻 漏电 保护层 反射层 漏斗状 阻挡层 沉积 制作 开口 环绕 | ||
1.倒装LED芯片的制作方法，包括步骤：
S1、提供一发光外延层，在发光外延层上生长ITO层；
S2、将发光外延层、ITO层图形化；
S3、沉积保护层，所述保护层覆盖ITO层；
S4、制作图形保护层，并在图形保护层上制作贯穿至所述ITO层的凹坑，制作后的保护层呈漏斗状，所述漏斗状的开口上大下小；
S5、在所述凹坑内沉积反射层，所述反射层全部沉积在凹坑内，在所述反射层上覆盖阻挡层；
所述保护层的作用在于阻止反射层的材料迁移。
2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤4通过光罩蚀刻在保护层上制作凹坑。
3.根据权利要求2所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤4使用光刻胶进行光罩蚀刻，所述光刻胶对保护层的蚀刻选择比小于所述光刻胶对ITO层的蚀刻选择比。
4.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤5通过小角度沉积生长所述反射层，通过大角度沉积生长所述阻挡层。
5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤3通过沉积具备反射和惰性特性的材料形成保护层。
6.根据权利要求5所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤3通过沉积Ti、TiW、DBR的材料中的一种或任意组合，沉积形成保护层。
7.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤1中的ITO层生长厚度di为0.06μm到0.2μm。
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