[发明专利]倒装LED芯片的制作方法

说明书

本发明公开了倒装LED芯片的制作方法，通过不同蚀刻选择比及创新的沉积方式，在ITO层、反射层和阻挡层周围，环绕呈漏斗状、开口上大下小的保护层，改善习知倒装LED芯片容易发生漏电的问题。

技术领域

本发明属于光电技术领域，具体涉及倒装LED芯片的制作方法。

背景技术

发光二极管（LED）具有寿命长、节能环保等显著优点，被认为是继白炽灯、荧光灯之后又一次照明技术的革命，是目前国际上半导体和照明领域研发和产业关注的焦点，拥有巨大的应用前景。为了解决电极遮光问题、提高亮度，倒装LED芯片工艺越来越具有研发价值和市场前景。

如图1所示，倒装芯片设计中涉及到一层保护层包裹反射层银镜的结构，但由于蒸镀、黄光的缺陷等，会存在银迁移导致漏电等异常。

发明内容

本发明的目的在于：提供一种倒装LED芯片的制作方法，解决习知倒装LED芯片容易由于银迁移发生漏电的问题。

根据本发明，提供一种倒装LED芯片的制作方法，包括步骤：

S1、提供一发光外延层，在发光外延层上生长ITO层；

S2、将发光外延层、ITO层图形化；

S3、沉积保护层，所述保护层覆盖所述ITO层；

S4、制作图形保护层，并在图形保护层上制作贯穿至所述ITO层的凹坑，制作后的保护层呈漏斗状，所述漏斗状的开口上大下小；

S5、在所述凹坑内沉积反射层，所述反射层部分或者全部沉积在凹坑内，在所述反射层上覆盖阻挡层。

进一步地，步骤4通过光罩蚀刻在保护层上制作凹坑。

进一步地，步骤4光罩通过光刻胶进行光罩蚀刻，所述光刻胶对保护层的蚀刻选择比小于所述光刻胶对ITO层的蚀刻选择比。

进一步地，步骤5通过小角度沉积生长所述反射层，通过大角度沉积生长所述阻挡层。

进一步地，步骤3通过沉积具备反射和惰性特性的材料形成保护层。

进一步地，步骤3通过沉积Ti、TiW、DBR的材料中的一种或任意组合，沉积形成保护层。

进一步地，步骤1中的ITO层生长厚度d_i为0.06μm到0.2μm，相比常规ITO层，较厚便于步骤4制作ITO层凹坑，扩大包裹反射层的保护效果。

与现有技术相比，本发明的倒装LED芯片的制作方法，至少包括以下技术效果：

（1）通过光刻胶对保护层和ITO层蚀刻比的差异，形成漏斗状保护层；

（2）通过小角度生产沉积反射层和大角度生长沉积阻挡层，从而高效的完成倒装LED芯片的工艺流程，同时解决传统金属剥离工艺后金属边缘翘曲导致的保护层未完全覆盖住反射层或残留光刻胶等问题导致的反射层材料迁移。。

（3）相比常规工艺，加厚生长ITO层降低制作凹坑包裹反射层的难度，同时避免损伤发光外延层。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的特征来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1：现有的倒装LED芯片结构剖面示意图；

图2：实施例制作到步骤1的剖面示意图；