[发明专利]半导体集成电路和电子设备有效

专利信息
申请号: 201610221710.6 申请日: 2011-08-26
公开(公告)号: CN105789232B 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 工藤义治 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 代理人: 曹正建,陈桂香
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 集成电路 电子设备
【权利要求书】:

1.一种半导体集成电路,其包括:

上下重叠的第一半导体基板和第二半导体基板;

模拟电路,其生成模拟信号,其中,所述模拟电路的第一部分设置在所述第一半导体基板上,所述第一部分包括传输晶体管、复位晶体管、选择晶体管和放大晶体管,并且其中,所述模拟电路的第二部分设置在所述第二半导体基板上,所述第二部分包括用于电流源的电流源晶体管;

数字电路,其在所述第二半导体基板上,其中所述数字电路将所述模拟信号转换成数字信号;

在所述第一半导体基板和所述第二半导体基板之间的连接部,其将所述模拟电路的所述第一部分连接到所述模拟电路的所述第二部分;

多个像素电路,每个所述像素电路具有光电转换元件,并且每个所述像素电路输出作为所述模拟信号的像素信号,以及

遮光金属,其设置在所述电流源晶体管和所述第一半导体基板中的所述多个像素电路之间。

2.如权利要求1所述的半导体集成电路,其中,所述遮光金属是布线层。

3.如权利要求1所述的半导体集成电路,其中,所述遮光金属通过在所述第一半导体基板上的布线层中形成实体图案而布置在用于电流源的所述电流源晶体管和所述第一半导体基板中的所述多个像素电路之间。

4.如权利要求1所述的半导体集成电路,进一步包括:

行扫描电路,其在所述第一半导体基板上。

5.如权利要求1所述的半导体集成电路,进一步包括:

在所述第二半导体基板上的时序控制电路和列扫描电路中的至少一者。

6.如权利要求4所述的半导体集成电路,进一步包括:

在所述第二半导体基板上的时序控制电路和列扫描电路中的至少一者,其中,所述行扫描电路覆盖所述时序控制电路和所述列扫描电路中的所述至少一者。

7.如权利要求1所述的半导体集成电路,其中:

所述第一半导体基板具有第一端子,所述第一端子连接到所述模拟电路的所述第一部分和所述连接部,并且

所述第二半导体基板具有连接到所述连接部的第二端子。

8.如权利要求1所述的半导体集成电路,其中:

所述第一半导体基板具有输出端子,所述输出端子连接到所述模拟电路的所述第一部分和所述连接部,并且

所述第二半导体基板具有连接到所述连接部的输入端子,并且具有扩散层,所述扩散层包括在所述电流源晶体管中并且连接到所述输入端子。

9.如权利要求8所述的半导体集成电路,其中,所述扩散层是在所述第二半导体基板中的扩散层。

10.如权利要求1所述的半导体集成电路,进一步包括:

输出信号线,其连接到所述多个像素电路并且传输所述像素信号;

其中,所述电流源连接到所述输出信号线;

其中,所述多个像素电路包括在所述第一半导体基板中的所述模拟电路的所述第一部分;并且

其中,所述输出信号线包括所述连接部。

11.如权利要求1所述的半导体集成电路,其中,所述第二半导体基板具有电源部,所述电源部向所述放大晶体管的漏极供应电源电压。

12.如权利要求1所述的半导体集成电路,进一步包括:

传输部;

其中,所述光电转换元件产生电荷;

其中,所述传输部传输所述光电转换元件产生的所述电荷;

其中,所述光电转换元件形成为所述第一半导体基板中的所述模拟电路的一部分;并且

其中,所述传输部包括所述连接部,并且所述传输部从所述第一半导体基板形成到所述第二半导体基板。

13.如权利要求8所述的半导体集成电路,其中,所述扩散层用作电容器的一个电极,所述电容器移除来自所述输入端子的模拟信号输入中的DC分量。

14.如权利要求6所述的半导体集成电路,其中,所述模拟电路包括所述光电转换元件和用于根据入射到所述第一半导体基板上的光来产生所述模拟信号的电路。

15.如权利要求14所述的半导体集成电路,其中,在所述第二半导体基板上的所述模拟电路的所述第二部分包括列输出信号线的一部分和连接到所述列输出信号线的所述一部分的电源。

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