[发明专利]柔性基板的剥离方法有效
申请号: | 201610225895.8 | 申请日: | 2016-04-12 |
公开(公告)号: | CN105702625B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 方宏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 剥离 方法 | ||
1.一种柔性基板的剥离方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供一多孔金属基板(10),所述多孔金属基板(10)为内部具有多个孔洞的金属板,在所述多孔金属基板(10)上形成缓冲层(20);
步骤2、在所述缓冲层(20)上形成柔性基板(30);
步骤3、提供一电解装置(50),所述电解装置(50)包括一电解槽(51)、及设于电解槽(51)内的阳极(53);
步骤4、在所述电解装置(50)的电解槽(51)内加入电解液;
将所述步骤2制得的包括柔性基板(30)、缓冲层(20)、及多孔金属基板(10)的多层板以多孔金属基板(10)朝下的方式放入所述电解槽(51)中,使多孔金属基板(10)与电解液相接触,以所述多孔金属基板(10)为阴极,在所述多孔金属基板(10)与阳极(53)之间接入电源,对电解液中的水进行电解,位于所述多孔金属基板(10)附近以及进入所述多孔金属基板(10)内部孔洞中的水被电解后产生氢气,所述氢气对所述缓冲层(20)施加作用力,将所述缓冲层(20)从所述多孔金属基板(10)上剥离,得到底部留有缓冲层(20)的柔性基板(30);
所述步骤4中,所述多孔金属基板(10)上远离所述柔性基板(30)的一侧浸入电解液中,接近所述柔性基板(30)的一侧暴露于电解液之外。
2.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法,其特征在于,所述多孔金属基板(10)的材料为铁、镍、或铜。
3.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法,其特征在于,所述缓冲层(20)的材料为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
4.如权利要求3所述的柔性基板的剥离方法,其特征在于,所述步骤1采用化学气相沉积方法形成所述缓冲层(20)。
5.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法,其特征在于,所述柔性基板(30)的材料为有机聚合物。
6.如权利要求5所述的柔性基板的剥离方法,其特征在于,所述有机聚合物为聚酰亚胺。
7.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法,其特征在于,所述步骤2还包括:在所述柔性基板(30)上制作器件(40)。
8.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法,其特征在于,所述电解装置(50)的阳极(53)的材料为碳、铂、或金。
9.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法,其特征在于,所述步骤4中,所述电解液为硫酸溶液、氢氧化钠溶液、硫酸钠溶液、硝酸钾溶液、或者水。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610225895.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造