[发明专利]低介电常数的聚酰亚胺的制造方法及聚酰亚胺膜暨其应用有效
申请号: | 201610226826.9 | 申请日: | 2016-04-13 |
公开(公告)号: | CN107286650B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 丘建华;林佳慧;吴俊明;黄黎明;黎伯谦 | 申请(专利权)人: | 新扬科技股份有限公司 |
主分类号: | C08L79/08 | 分类号: | C08L79/08;C08L27/18;C08G73/10;C08J5/18;B32B15/08;B32B15/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾高*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 介电常数 聚酰亚胺 制造 方法 应用 | ||
本发明的方法包括提供含氟高分子分散液(A)和溶于第一溶剂(C)中的芳香族二胺(B);上述含氟高分子分散液(A)包含含氟高分子(a‑1)、第二溶剂(a‑2)和分散剂(a‑3);混合含氟高分子分散液(A)与芳香族二胺(B),以形成第一混合物中;加入芳香族四羧酸二酐(D)于第一混合物中,以形成聚酰胺酸溶液;对聚酰胺酸溶液进行去溶剂步骤和加热步骤,以制得聚酰亚胺。所制得的聚酰亚胺膜具有低介电常数以及低损耗因子。
技术领域
本发明是有关于一种低介电常数的聚酰亚胺的制造方法及聚酰亚胺膜暨其应用,且特别是有关于一种利用特定平均粒径的含氟高分子,以制造聚酰亚胺和聚酰亚胺膜的方法。所制得的聚酰亚胺和聚酰亚胺膜具有低介电性。
背景技术
随着技术发展及产品需求,软性印刷电路板的尺寸也走向轻薄短小,而为因应无线网路及通讯产品的高频化,具有快速传输速度的高频基板为现下产业的发展重点。
目前常用的覆铜积层板多以无胶式的聚酰亚胺覆铜积层板为大宗。无胶式聚酰亚胺覆铜积层板是直接将聚酰亚胺层形成于覆铜积层板的铜箔上,故聚酰亚胺层和铜箔间不含粘着层。上述的聚酰亚胺层,主要是将聚酰亚胺的聚酰胺酸前驱物,涂布于铜箔上,再经去溶剂和加热处理所形成。前述的聚酰胺酸前驱物是由芳香族四羧酸二酐和芳香族二胺的单体,经聚合反应所制得。
然而,在覆铜积层板的生产过程中,为避免覆铜积层板卷曲而无法顺利通过设备狭缝,通常会在前述聚酰胺酸前驱物中添加无机填充物,以增加聚酰亚胺层和铜箔之间的线性热膨胀系数,藉以避免发生如上述的卷曲的情形。然而,添加无机填充物虽改善了基材的平坦性,但使得目前产业中所使用的无胶式覆铜积层板有诸多缺点,例如:抗撕裂性、耐弯折、透明性和尺寸安定性不佳。此外,所制得的无胶式覆铜积层板的聚酰亚胺层具有高介电性。由于高介电性的限制,使得电子讯号的传递有所延迟,而无法达到高频基板的需求。
习知有一技术是通过低介电常数的多层聚酰亚胺膜来克服上述问题。上述习知技术中,提供三层聚酰亚胺膜,其中第一层是以至少两种的芳香族二胺类和至少两种的芳香族四羧酸二酐类聚合而成,并额外添加聚四氟乙烯;第二层和第三层是以至少两种的芳香族二胺类和至少两种的芳香族四羧酸二酐类聚合而成,并额外添加有机硅氧化合物,以增加聚酰亚胺膜与金属层的接着。
然而,此习知技术所制造的聚酰亚胺膜具有孔洞结构,而使其机械强度(例如:抗拉强度或是伸长率等性质)不佳,而不利于高频基板的发展。此外,制造多层膜的工序繁复,且额外添加有机硅氧化合物也会产生如前述的抗撕裂性、耐弯折、透明性和尺寸安定性不佳的问题。
因此,目前亟需发展出一种低介电常数的聚酰亚胺的制造方法,其可克服如前述的种种问题,且使所制得的聚酰亚胺、所形成的聚酰亚胺膜及其应用,可具有低介电常数、低损耗因子,并保有良好的抗撕裂性、耐折弯性、透明性以及尺寸安定性。
发明内容
因此,本发明的一个方面在于提供一种聚酰亚胺的制造方法。
本发明的另一方面在于提供一种聚酰亚胺膜,其是包含如上述制造方法所制得的聚酰亚胺。
本发明的又一方面在于提供一种覆铜积层板,其包含上述的聚酰亚胺膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新扬科技股份有限公司,未经新扬科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610226826.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。