[发明专利]一种半导体功率器件版图

权利要求书

1.一种半导体功率器件版图，其特征在于，包括栅极沟槽、虚栅沟槽、基区接触区、虚栅接触孔和源极接触孔，所述栅极沟槽为连续条形栅极沟槽，中部为折线结构，两端延伸进入栅极接触区，并与栅极总线连接，以每相邻两条所述栅极沟槽为一组，所述栅极沟槽尾端在距离栅极接触区的预定位置处相互连接，形成封闭的虚栅区；所述虚栅沟槽为连续条形虚栅沟槽，位于所述封闭的虚栅区中间，与所述栅极沟槽平行，所述虚栅沟槽的两端或中间形成封闭接触窗口；所述基区接触区为连续条形基区接触区，位于以每相邻两条所述栅极沟槽为一组的相邻两个所述栅极沟槽之间，并与所述栅极沟槽平行；所述虚栅接触孔位于所述虚栅沟槽上的封闭接触窗口内，宽度大于所述虚栅沟槽的宽度；所述源极接触孔为连续条形源极接触孔，覆盖于所述基区接触区之上，宽度大于所述基区接触区宽度，长度小于所述基区接触区的长度。

2.如权利要求1所述的半导体功率器件版图，其特征在于，所述栅极沟槽的折线结构的转折处为平滑圆弧形。

3.如权利要求2所述的半导体功率器件版图，其特征在于，所述栅极沟槽的折线结构的折线部分与水平部分的夹角大于等于90°。

4.如权利要求1所述的半导体功率器件版图，其特征在于，所述封闭接触窗口为平行四边形、矩形或梯形。

5.如权利要求1所述的半导体功率器件版图，其特征在于，所述虚栅区包括一个或多个并列平行的虚栅沟槽。

6.如权利要求1所述的半导体功率器件版图，其特征在于，所述基区接触区为沟槽或重掺杂基区。

7.如权利要求1-6任一项所述的半导体功率器件版图，其特征在于，所述栅极总线两侧相邻的所述栅极沟槽对称分布。

8.如权利要求7所述的半导体功率器件版图，其特征在于，上下相邻的所述栅极沟槽之间的间距相等。