[发明专利]一种集成电路T型孔的干法刻蚀制备方法

权利要求书

1.一种集成电路T型孔的干法刻蚀制备方法，步骤如下：1）制作细孔刻蚀窗口，在用于金属互连的隔离介质层上进行一次光刻，制作出细孔刻蚀窗口；2）一次刻蚀，采用各向异性等离子体干法刻蚀工艺进行细孔一次刻蚀，一次刻蚀后的细孔深度小于所述隔离介质层厚度，所述隔离介质层厚度与一次刻蚀后的细孔深度之差等于T型孔大孔的厚度；3）制作大孔刻蚀窗口，采用等离子体干法去胶工艺去除刻蚀出的细孔上方周围的光刻胶，形成大孔刻蚀窗口；4)二次刻蚀，采用与步骤2）相同的刻蚀工艺进行二次刻蚀，二次刻蚀时间比一次刻蚀时间短，刻蚀制作出大孔及最终与大孔相连的细孔，二次刻蚀后的所述细孔深度等于或大于所述隔离介质层厚度；5）去胶，采用等离子体干法去胶工艺去除光刻胶。

2.根据权利要求1所述的集成电路T型孔的干法刻蚀制备方法，其特征在于所述步骤1）中的隔离介质层厚度为2.3微米。

3.根据权利要求1所述的集成电路T型孔的干法刻蚀制备方法，其特征在于所述步骤1）中的光刻胶厚度为2.8微米。

4.根据权利要求1所述的集成电路T型孔的干法刻蚀制备方法，其特征在于所述步骤2）中的一次刻蚀条件为：在刻蚀腔体内，通入C₂F₆气体35SCCM、CHF₃气体30SCCM，氦气气体70SCCM，压力控制在180mT，加上430W的功率射频进行刻蚀，刻蚀时间为5分钟。

5.通过5分钟的干法刻蚀，形成一次刻蚀细孔。

6.根据权利要求1所述的集成电路T型孔的干法刻蚀制备方法，其特征在于所述步骤3）中的等离子体干法去胶工艺条件为：在腔体内通入氧气气体25SCCM，压力控制在1.0托，加上200W的功率射频进行打胶工艺，打胶时间为3分钟。

7.根据权利要求1所述的集成电路T型孔的干法刻蚀制备方法，其特征在于所述步骤4）中二次刻蚀的刻蚀时间为1.5分钟。

8.根据权利要求1所述的集成电路T型孔的干法刻蚀制备方法，其特征在于所述步骤5）中去胶工艺条件为：在腔体内通入氧气气体240SCCM，压力控制在1.0托，加上400W的功率射频进行去胶工艺，打胶时间为90分钟。