[发明专利]传输电路及存储器电路有效
申请号: | 201610236349.4 | 申请日: | 2016-04-15 |
公开(公告)号: | CN105680674B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 杨光军 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张振军;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传输 电路 存储器 | ||
1.一种传输电路,其特征在于,包括:
传输单元,所述传输单元的控制端接收第一电压,所述传输单元适于在所述第一电压的控制下,将第二电压从所述传输单元的输入端传输至所述传输单元的输出端;
第一升压单元,适于对所述第二电压进行升压,以得到所述第一电压;
负载MOS管,所述负载MOS管的漏极耦接所述传输单元的控制端,所述负载MOS管的栅极接收第三电压;
其中,所述第三电压大于电源电压且小于所述第一电压。
2.根据权利要求1所述的传输电路,其特征在于,还包括第二升压单元,所述第二升压单元包括多个级联的升压子单元,用于生成所述第二电压。
3.根据权利要求2所述的传输电路,其特征在于,所述第三电压由任一级所述升压子单元的输出端提供。
4.根据权利要求2所述的传输电路,其特征在于,所述升压子单元包括:第一开关、第一NMOS管、第一电容和反相器,其中,
所述第一开关的第一端耦接所述升压子单元的第一端,所述第一开关的第二端耦接所述第一NMOS管的源极、所述第一电容的第一端和所述升压子单元的输出端,所述第一开关的控制接收第一时钟;
所述第一NMOS管的栅极耦接所述第一NMOS管的漏极并耦接电源;
所述第一电容的第二端耦接所述反相器的输出端;
所述反相器的输入端输入有第二时钟。
5.根据权利要求1所述的传输电路,其特征在于,所述负载MOS管的源极经由开关单元接地,所述开关单元的控制端接收使能信号,在所述使能信号的作用下,所述负载MOS管的源极形成或断开与地的通路。
6.根据权利要求5所述的传输电路,其特征在于,所述开关单元包括:第二NMOS管,所述第二NMOS管的栅极耦接所述开关单元的控制端,所述第二NMOS管的源极接地,所述第二NMOS的漏极耦接所述负载MOS管的源极。
7.根据权利要求1所述的传输电路,其特征在于,所述传输单元包括:第三NMOS管,所述第三NMOS管的栅极耦接所述传输单元的控制端,所述第三NMOS管的漏极耦接所述传输单元的输入端,所述第三NMOS管的源极耦接所述传输单元的输出端。
8.根据权利要求1所述的传输电路,其特征在于,所述第一升压单元为电荷泵电路。
9.根据权利要求1至8任一项所述的传输电路,其特征在于,所述第三电压的范围为所述第一电压的20%到80%之间。
10.一种存储器电路,其特征在于,包括权利要求1至9任一项所述的传输电路。
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