[发明专利]传输电路及存储器电路有效

专利信息
申请号: 201610236349.4 申请日: 2016-04-15
公开(公告)号: CN105680674B 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 杨光军 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张振军;吴敏
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 传输 电路 存储器
【权利要求书】:

1.一种传输电路,其特征在于,包括:

传输单元,所述传输单元的控制端接收第一电压,所述传输单元适于在所述第一电压的控制下,将第二电压从所述传输单元的输入端传输至所述传输单元的输出端;

第一升压单元,适于对所述第二电压进行升压,以得到所述第一电压;

负载MOS管,所述负载MOS管的漏极耦接所述传输单元的控制端,所述负载MOS管的栅极接收第三电压;

其中,所述第三电压大于电源电压且小于所述第一电压。

2.根据权利要求1所述的传输电路,其特征在于,还包括第二升压单元,所述第二升压单元包括多个级联的升压子单元,用于生成所述第二电压。

3.根据权利要求2所述的传输电路,其特征在于,所述第三电压由任一级所述升压子单元的输出端提供。

4.根据权利要求2所述的传输电路,其特征在于,所述升压子单元包括:第一开关、第一NMOS管、第一电容和反相器,其中,

所述第一开关的第一端耦接所述升压子单元的第一端,所述第一开关的第二端耦接所述第一NMOS管的源极、所述第一电容的第一端和所述升压子单元的输出端,所述第一开关的控制接收第一时钟;

所述第一NMOS管的栅极耦接所述第一NMOS管的漏极并耦接电源;

所述第一电容的第二端耦接所述反相器的输出端;

所述反相器的输入端输入有第二时钟。

5.根据权利要求1所述的传输电路,其特征在于,所述负载MOS管的源极经由开关单元接地,所述开关单元的控制端接收使能信号,在所述使能信号的作用下,所述负载MOS管的源极形成或断开与地的通路。

6.根据权利要求5所述的传输电路,其特征在于,所述开关单元包括:第二NMOS管,所述第二NMOS管的栅极耦接所述开关单元的控制端,所述第二NMOS管的源极接地,所述第二NMOS的漏极耦接所述负载MOS管的源极。

7.根据权利要求1所述的传输电路,其特征在于,所述传输单元包括:第三NMOS管,所述第三NMOS管的栅极耦接所述传输单元的控制端,所述第三NMOS管的漏极耦接所述传输单元的输入端,所述第三NMOS管的源极耦接所述传输单元的输出端。

8.根据权利要求1所述的传输电路,其特征在于,所述第一升压单元为电荷泵电路。

9.根据权利要求1至8任一项所述的传输电路,其特征在于,所述第三电压的范围为所述第一电压的20%到80%之间。

10.一种存储器电路,其特征在于,包括权利要求1至9任一项所述的传输电路。

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