[发明专利]传输电路及存储器电路

说明书

一种传输电路及存储器电路，所述传输电路包括：传输单元，所述传输单元的控制端接收第一电压，所述传输单元适于在所述第一电压的控制下，将第二电压从所述传输单元的输入端传输至所述传输单元的输出端；第一升压单元，适于对所述第二电压进行升压，以得到所述第一电压；负载MOS管，所述负载MOS管的漏极耦接所述传输单元的控制端，所述负载MOS管的栅极接收第三电压；其中，所述第三电压大于电源电压且小于所述第一电压。本专利方案可以提高存储器中的传输电路的电压传输稳定性，并且较易实施。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种传输电路及存储器电路。

背景技术

闪存(Flash)是一种长寿命的非易失性的存储器，在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的极板程序、个人数字助理、数码相机中保存资料等。闪存也可以被看作电子可擦除只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)的变种，而闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。

对闪存的操作可以包括读、编程以及擦除。在闪存中，擦除电压一般为8V，编程电压一般为12V，这要求传输电压为12V的高电压的传输电路具有稳定性，否则将影响对以闪存为例的存储器进行操作时的稳定性。现有的存储器中的传输电路一般采用MOS管，以NMOS管为例，若将传输电压为12V的高电压从NMOS管的源极传输至其漏极时，需要对所述NMOS管的栅极施加高于12V的电压，使得所述NMOS管的V_GS大于其阈值电压V_TH，才能保证其源极至其漏极的电压的有效传输。

然而，现有技术面临着存储器中的传输电路的电压传输稳定性较差的问题。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何提高存储器中的传输电路的电压传输稳定性。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种传输电路，包括：传输单元，所述传输单元的控制端接收第一电压，所述传输单元适于在所述第一电压的控制下，将第二电压从所述传输单元的输入端传输至所述传输单元的输出端；第一升压单元，适于对所述第二电压进行升压，以得到所述第一电压；负载MOS管，所述负载MOS管的漏极耦接所述传输单元的控制端，所述负载MOS管的栅极接收第三电压；其中，所述第三电压大于电源电压且小于所述第一电压。

可选地，所述传输电路还包括第二升压单元，所述第二升压单元包括多个级联的升压子单元，用于生成所述第二电压。

可选地，所述第三电压由任一级所述升压子单元的输出端提供。

可选地，所述升压子单元包括：第一开关、第一NMOS管、第一电容和反相器，其中，所述第一开关的第一端耦接所述升压子单元的第一端，所述第一开关的第二端耦接所述第一NMOS管的源极、所述第一电容的第一端和所述升压子单元的输出端，所述第一开关的控制接收第一时钟；所述第一NMOS管的栅极耦接所述第一NMOS管的漏极并耦接电源；所述第一电容的第二端耦接所述反相器的输出端；所述反相器的输入端输入有第二时钟。

可选地，所述负载MOS管的源极经由开关单元接地，所述开关单元的控制端接收使能信号，在所述使能信号的作用下，所述负载MOS管的源极形成或断开与地的通路。

可选地，所述开关单元包括：第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极耦接所述开关单元的控制端，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS的漏极耦接所述负载MOS管的源极。

可选地，所述传输单元包括：第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极耦接所述传输单元的控制端，所述第三NMOS管的漏极耦接所述传输单元的输入端，所述第三NMOS管的源极耦接所述传输单元的输出端。