[发明专利]IO接收机有效
申请号: | 201610239195.4 | 申请日: | 2016-04-18 |
公开(公告)号: | CN107306130B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 耿彦;朱恺;陈捷 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;卜璐璐 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | io 接收机 | ||
1.一种IO接收机,其特征在于,所述IO接收机包括依次串联连接的第一传输门、第一反相器、第二反相器、第二传输门、第三反相器以及第四反相器,其中,
所述第一反相器和所述第二反相器由第一电源供电;
所述第三反相器和所述第四反相器由第二电源供电;
所述第一传输门的PMOS晶体管的栅极连接到第一信号引脚,所述第一传输门的NMOS晶体管的栅极连接到第二信号引脚,第一信号和第二信号是IO信号,逻辑互为相反;以及
所述第二传输门的PMOS晶体管的栅极连接到第三电源,所述第二传输门的NMOS晶体管的栅极连接到所述第一电源;
所述IO接收机还包括第三晶体管和第四晶体管,所述第三晶体管用于在所述IO接收机禁用时将所述第一传输门的输出下拉到逻辑低,所述第四晶体管用于在所述IO接收机禁用时将所述第二传输门的输出下拉到逻辑低。
2.如权利要求1所述的IO接收机,其特征在于,所述第三晶体管和所述第四晶体管均为NMOS晶体管。
3.如权利要求2所述的IO接收机,其特征在于,所述第三晶体管的栅极连接到所述第一信号引脚,所述第三晶体管的漏极连接到所述第一传输门的输出,所述第三晶体管的源极连接到地,所述第四晶体管的漏极连接到所述第二传输门的输出,所述第四晶体管的源极连接到地。
4.如权利要求3所述的IO接收机,其特征在于,所述第四晶体管的栅极连接到第三信号引脚,所述第三信号引脚与所述第一信号引脚具有相同的逻辑,第三信号是芯片内部信号。
5.如权利要求3所述的IO接收机,其特征在于,所述IO接收机还包括第五反相器,所述第五反相器由所述第二电源供电,所述第五反相器的输入连接到所述第二信号引脚,所述第五反相器的输出连接到所述第四晶体管的栅极。
6.如权利要求1-5中的任一项所述的IO接收机,其特征在于,所述第二传输门的PMOS晶体管的衬底连接到所述第一电源,所述第二传输门的NMOS晶体管的衬底连接到地。
7.如权利要求6所述的IO接收机,其特征在于,所述第三晶体管的衬底和所述第四晶体管的衬底均连接到地。
8.如权利要求1-5中的任一项所述的IO接收机,其特征在于,所述第一电源为IO电源,所述第二电源为芯片内部电源。
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