[发明专利]发光结构及其制造方法有效
申请号: | 201610239991.8 | 申请日: | 2010-09-15 |
公开(公告)号: | CN105762251B | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 许嘉良 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/54 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光结构,包含:
半导体发光元件,包含第一表面、相对于该第一表面的第二表面、位于该第一表面上的第一接点、及第二接点;
第一电极,包含连接该第一接点的上表面与完全位于该第一表面之下的下表面,该上表面具有位于该第一表面下方的第一端、远离该第一端的第二端及该第一端与该第二端之间的第一面,该第二端不高于该第二表面,该第一面为曲面、斜面、或部分曲面与部分斜面的组合,并且该上表面与该下表面之间为一单一实心金属结构,
其中,该第一端、该第二端与该第一面均位于该下表面的正上方。
2.如权利要求1所述的发光结构,还包含一波长转换层,与该第一电极直接连接。
3.如权利要求1所述的发光结构,其中该半导体发光元件进一步包含侧面与该第一表面与该第二表面相连接。
4.如权利要求3所述的发光结构,进一步包含封装层,该封装层包含曲面,与该第一电极于一个方向上重叠,并且该方向平行该侧面。
5.如权利要求3所述的发光结构,还包括波长转换层,覆盖该侧面。
6.如权利要求1所述的发光结构,还包含第二电极,与该第一电极物理性分离。
7.如权利要求1所述的发光结构,其中该第一表面还包括一部分,并未被该第一电极覆盖。
8.如权利要求1所述的发光结构,还包括波长转换层,具有一侧表面介于该第一端与该第二端之间。
9.如权利要求1所述的发光结构,还包含第二电极,连接该第二接点。
10.如权利要求9所述的发光结构,该第二电极还包含第二面,该半导体发光元件位于该第一面与该第二面之间。
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