[发明专利]发光结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610239991.8 申请日: 2010-09-15
公开(公告)号: CN105762251B 公开(公告)日: 2019-08-13
发明(设计)人: 许嘉良 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/54
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

本发明公开了一种发光结构及其制造方法。该发光结构包含半导体发光元件,此半导体发光元件包含第一接点与第二接点。上述的发光结构又包括第一电极电连接第一接点与第二电极电连接第二接点,且第一电极与第二电极形成凹面。其中半导体发光元件位于凹面内。

本申请是申请号为201010282957.1、申请日为2010年9月15日、发明名称为“发光结构及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明主要涉及发光结构与其制造方法,此发光结构包含半导体发光元件与电极。其电极形成凹面,可将半导体发光元件所发出的光加以反射,进而提升半导体发光元件的出光效率。透过本发明的制造方法,可以更有效率的完成封装与波长转换材料涂布的工艺。

背景技术

目前常见的发光结构工艺是将如发光二极管的发光元件在完成外延工艺后,透过切割的方式形成单一的管芯,接着再将管芯个别安置在次载体上,此次载体可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate),以进行引线、焊接、荧光粉覆盖与后续封装工艺。由于上述的工艺需要多道步骤完成,不仅耗时,且大幅增加生产成本。

发明内容

本发明提供一种发光结构,其包含半导体发光元件,此半导体发光元件包含第一接点与第二接点。上述的发光结构又包括第一电极电连接第一接点与第二电极电连接第二接点,且第一电极与第二电极形成凹面。其中半导体发光元件位于凹面内。

本发明又披露一种发光结构的制造方法,其步骤至少包括:提供载板,提供多个半导体发光元件于载板上;形成表面为曲面的胶层于半导体发光元件的侧壁;与形成金属层于胶层上。金属层在胶层上形成相应的曲面,并进一步形成第一电极与第二电极。去除胶层与载板使得第一电极与第二电极所形成的凹面可反射半导体发光元件所射出的光线。

附图说明

图1A-1G显示为本发明实施例的制造流程;

图2为本发明实施例;

图3为本发明的又一实施例;

图4A-4G显示为本发明又一实施例的制造流程;

附图标记说明

10:载板;

20:半导体发光元件;

30:胶层;

50:发光结构;

60:波长转换层;

70:封装层;

200:第一表面;

201:第一接点;

202:第二接点;

204:走道区;

400a:第一电极;

400b:第二电极;

402:沟槽;

405:凹面;

具体实施方式

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