[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610240551.4 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107304038B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王伟;郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有空腔；
步骤S2：在所述空腔的表面形成保护层，以覆盖所述空腔、避免所述空腔在后续的步骤中碎裂；
步骤S3：提供顶部晶圆并和所述底部晶圆相接合；
步骤S4：反转所述步骤S3中接合后的元件，并在所述底部晶圆的背面形成凹槽，露出所述空腔的底部的所述保护层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
步骤S211：在所述底部晶圆的正面以及所述空腔表面形成干膜层，以覆盖所述底部晶圆和所述空腔；
步骤S212：对所述干膜层进行曝光，以去除所述底部晶圆表面的所述干膜层，在所述空腔的表面形成保护层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
步骤S221：在所述底部晶圆的正面以及所述空腔表面形成保护层，以覆盖所述底部晶圆和所述空腔；
步骤S222：沉积牺牲材料层，以完全填充所述空腔。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4之后，所述方法进一步包括：
步骤S5：去除所述底部晶圆的正面上的所述保护层，以露出所述牺牲材料层；
步骤S6：去除所述牺牲材料层，以露出所述空腔。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤S222包括：
步骤S2221：在所述底部晶圆上沉积光刻胶层，以覆盖所述保护层并填充所述空腔；
步骤S2222：对所述光刻胶层曝光显影，以去除所述保护层上的所述光刻胶层并完全填充所述空腔；
步骤S2223：对所述光刻胶层进行烘烤，以固化所述空腔中的所述光刻胶层。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S6中，选用灰化法去除所述牺牲材料层。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述保护层选用氧化物层。
8.一种基于权利要求1至7之一所述的方法制备得到的MEMS器件。
9.一种电子装置，包括权利要求8所述的MEMS器件。
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