[发明专利]高压LDMOS器件及工艺方法

权利要求书

1.一种高压LDMOS器件，在P型衬底中具有N型深阱，在剖视角度上，靠近N型深阱两侧内壁处分别具有第一N型区和第二N型区，所述第二N型区为LDMOS器件的漏区；N型深阱中还具有P阱，P阱与第二N型区之间的衬底表面具有场氧，场氧下方具有P型层；所述P阱中包含有第三N型区作为LDMOS器件的源区，以及将P阱引出的第一P型区；所述P型衬底中还具有引出衬底电极的第二P型区；所述第一N型区作为寄生JFET的源区；寄生JFET与LDMOS器件共用漏区及漂移区，寄生JFET的栅极由LDMOS器件的源区及衬底端寄生形成；

其特征在于：场氧下的所述P型层是分为两段，中间间隔开而使两段不连接；N型深阱的底部具有间隔形成两部分，所述间隔是由两段N型深阱之间存在的高阻区域构成，该高阻区域位于两段P型层间隔区的下方，即高阻区域的位置与其上方P型层间隔区位置对应。

2.如权利要求1所述的高压LDMOS器件，其特征在于：所述的N型深阱底部的间隔的位置，是在保证降低寄生JFET导通电流密度，同时方便N型深阱高温推进后仍能有效扩散接触的前提下确定；高阻区域的宽度控制在2～12μm。

3.如权利要求2所述的高压LDMOS器件，其特征在于：所述的高阻区域的宽度，是根据寄生JFET电流大小具体实验调节；高阻区域的宽度越大，则寄生JFET的漏电流越小；高阻区域的宽度越小，则寄生JFET的导通电流能力越强。

4.制造如权利要求1所述的高压LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：N型深阱的分段，是在N型深阱注入时，利用掩膜版N型深阱进行分段注入，然后进行高温热推进之后，两段深阱逐渐融合形成；两段深阱底部之间形成高阻区域，即形成间隔；在P型层注入时，在相应区域也对P型层进行分段注入，形成对应的两段式的P型层。

5.如权利要求4所述的高压LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：对P型层进行对应的分段处理，是在分段区域实现新的P/N型的配比平衡，最终保证器件整体耐压能力不受影响；两段P型层之间的间距在1～15μm范围内调节。

6.如权利要求4所述的高压LDMOS器件的工艺方法，其特征在于：所述N型深阱的注入能量为80～150Kev，注入剂量为1E12～1E13cm^-2，热推进的温度为1050～1250℃，时间10～20h。