[发明专利]金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法有效
| 申请号： | 201610250248.2 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105734493B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 高桥正弘;广桥拓也;津吹将志;石原典隆;太田将志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;H01L21/02;H01L21/66;H01L29/04;H01L29/24;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 形成 方法 | ||
1.一种金属氧化物膜的制造方法，其特征在于，
其为具有铟、镓、和锌的金属氧化物膜的制造方法，
在氧的分压大于或等于33％的形成气氛中，使用包含多晶氧化物的一种溅射靶材，通过溅射法形成所述金属氧化物膜，
所述溅射靶材具有铟、镓、和锌，
所述金属氧化物膜具有晶体部，
所述晶体部当形成所述金属氧化物膜时形成，
所述晶体部的尺寸小于或等于10nm，
所述金属氧化物膜具有在XRD测定中未观察到对应于所述晶体部的峰值的区域。
2.一种金属氧化物膜的制造方法，其特征在于，
其为具有铟、镓、和锌的金属氧化物膜的制造方法，
在氧的分压大于或等于33％的形成气氛中，使用包含多晶氧化物的一种溅射靶材，通过溅射法形成所述金属氧化物膜，
所述溅射靶材具有铟、镓、和锌，
所述金属氧化物膜具有晶体部，
所述晶体部当形成所述金属氧化物膜时形成，
所述晶体部的尺寸小于或等于10nm，
所述金属氧化物膜具有在XRD测定中未观察到对应于所述晶体部的峰值的区域，
所述金属氧化物膜具有在纳米束电子衍射图案中观察到呈圆周状分布的多个斑点的区域。
3.一种金属氧化物膜的制造方法，其特征在于，
其为具有铟、镓、和锌的金属氧化物膜的制造方法，
在氧的分压大于或等于33％的形成气氛中，使用包含多晶氧化物的一种溅射靶材，通过溅射法形成所述金属氧化物膜，
所述溅射靶材具有铟、镓、和锌，
所述金属氧化物膜具有晶体部，
所述晶体部当形成所述金属氧化物膜时形成，
所述晶体部的尺寸小于或等于10nm，
所述金属氧化物膜具有在XRD测定中未观察到对应于所述晶体部的峰值的区域，
所述金属氧化物膜具有在纳米束电子衍射图案中观察到呈圆周状分布的多个斑点的区域，
所述金属氧化物膜具有在选区电子衍射图案中观察到光晕图案的区域。
4.根据权利要求2或3所述的金属氧化物膜的制造方法，其特征在于，所述纳米束电子衍射图案的测量区域为小于或等于
5.根据权利要求1至3中任一项所述的金属氧化物膜的制造方法，其特征在于，对所述金属氧化物膜照射收敛至的电子束之前的纳米束电子衍射图案与对所述金属氧化物膜照射所述电子束1分钟后的纳米束电子衍射图案相似。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的金属氧化物膜的制造方法，其特征在于，所述晶体部的尺寸小于或等于5nm。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的金属氧化物膜的制造方法，其特征在于，所述晶体部的尺寸大于或等于1nm。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的金属氧化物膜的制造方法，其特征在于，所述XRD测定使用out-of-plane法。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的金属氧化物膜的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物膜的形成通过具有晶体的平板状溅射粒子从所述溅射靶材裂开而进行。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的金属氧化物膜的制造方法，其特征在于，在不对形成所述金属氧化物膜的衬底进行加热的状态下，形成所述金属氧化物膜。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的金属氧化物膜的制造方法，其特征在于，在形成所述金属氧化物膜后，对所述金属氧化物膜进行含氮气氛的第一热处理和含氮及氧的气氛的第二热处理。
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