[发明专利]金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法

说明书

本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

本申请为申请日为2013年10月30日、申请号为201380058422.8、发明名称为“金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的一个方式例如涉及一种半导体器件、显示器件、发光器件、其驱动方法、或其制造方法。本发明的一个方式尤其涉及一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。进一步地，本发明的一个方式涉及一种包含金属氧化物膜的半导体器件。

注意，在本说明书中的半导体器件等是指可通过利用半导体特性而作用的所有器件，例如，电光器件、半导体电路、及电子设备都是半导体器件。

背景技术

使用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜而形成晶体管的技术已引起注意。该晶体管广泛地应用于集成电路(IC)及图像显示器件(也称为显示器件)等电子设备。作为可应用于晶体管的半导体膜，硅类半导体材料广泛地已知；此外，作为其他材料，显现半导体特性的金属氧化物(氧化物半导体)引起注意。

例如，专利文献1公开了使用包含In、Zn、Ga和Sn等的非晶氧化物作为氧化物半导体，而制造晶体管的技术。

[参考文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利申请公开第2006-165529号公报

发明内容

本发明的一个方式的目的之一是提供一种包含晶体部的金属氧化物膜。

本发明的一个方式的其他目的是提供一种物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。

本发明的一个方式的其他目的是提供一种包含上述金属氧化物膜的可靠性高的半导体器件。

本发明的一个方式的其他目的是提供一种新颖的半导体器件。注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。这些目的以外的目的从说明书、附图、权利要求书等的记载是显然的，并可以从所述记载中抽出。

所公开的发明的一个方式是一种金属氧化物膜，该金属氧化物膜包含微小的晶体部，其中在宏观上观察不到原子排列的周期性，或在宏观上观察不到原子排列的长程有序。本发明的一个方式的金属氧化物膜包含在平面的选区电子衍射图案中观察出示出非晶状态的光晕图案的区域。另一方面，在截面的纳米束电子衍射图案中，观察不到光晕图案，而观察到不具有方向性的斑点，该斑点与具有示出以特定平面取向的晶体部的规律性的斑点不同。具体而言，本发明的一个方式例如是具有以下结构的金属氧化物膜。

本发明的一个方式是一种金属氧化物膜，该金属氧化物膜包含在在截面的纳米束电子衍射图案中观察出呈圆周状分布的多个斑点的区域。

本发明的其他的一个方式是一种金属氧化物膜，该金属氧化物膜包含在截面的纳米束电子衍射图案中观察出呈圆周状分布的多个斑点，且在平面的选区电子衍射图案中观察出光晕图案的区域。

在上文中，选区电子衍射的测量区域优选大于或等于

在上文中，纳米束电子衍射的测量区域优选大于或等于且小于或等于注意，通过照射光束直径收敛至的电子束，可获得具有大于或等于且小于或等于的测量区域的纳米束电子衍射图案。

在上文中，该纳米束电子衍射图案优选为变薄至大于10nm且小于或等于50nm的样品的截面的纳米束电子衍射图案。

在上文中，金属氧化物膜优选包含晶体部，且该晶体部的尺寸优选小于或等于10nm。或者，晶体部的尺寸优选大于或等于1nm且小于或等于10nm。