[发明专利]一种基于MEEF的OPC验证方法有效

专利信息
申请号: 201610250573.9 申请日: 2016-04-21
公开(公告)号: CN105717740B 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 何大权;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F1/84 分类号: G03F1/84;G03F1/36
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 掩模板 硅片 验证 量测 尺寸测量 尺寸误差 规格选择 硅片图形 图形缺陷 误差获得 小硅片 检测 优化 制作 分析
【权利要求书】:

1.一种基于MEEF的OPC验证方法,其特征在于:该方法在传统OPC验证的基础上,对版图进行MEEF分析,根据模拟尺寸、MEEF值以及最大掩模板误差获得最小硅片尺寸,根据设定规格选择不符合规格的图形点,并对该图形点量测掩模板尺寸以及量测硅片尺寸,如果掩模板尺寸超出规格则重新制作掩模板,否则如果硅片尺寸超出规格则优化OPC方法,所述方法包括如下步骤:

步骤一,进行常规OPC验证;

步骤二,利用OPC模型模拟OPC后图形得到模拟尺寸,选择模拟尺寸小于预设规格的图形;

步骤三,对版图进行MEEF分析,选择MEEF值超出规定的图形点;

步骤四,根据模拟尺寸与MEEF值计算最大掩模板尺寸误差情况下的最小硅片尺寸,所述最小硅片尺寸的计算方法为:

最小硅片尺寸=模拟尺寸–MEEF*最大掩模板误差/掩模板放大倍率;

步骤五,设定最小硅片尺寸规格,选择通过步骤四得到的最小硅片尺寸小于设定规格的图形点;

步骤六,掩模板制作完成后,对步骤五所选定的图形点进行掩模板尺寸测量,并根据实际掩模板误差计算预测硅片尺寸,所述预测硅片尺寸的计算方法为:

预测硅片尺寸=模拟尺寸+MEEF*(标准化掩模板误差/掩模板放大倍率);

步骤七,如果预测硅片尺寸符合最小硅片尺寸规格,则进行曝光并实施硅片尺寸验证,否则重新制作掩模板。

2.如权利要求1所述的一种基于MEEF的OPC验证方法,其特征在于:于步骤一中,该常规OPC验证为假定掩模板尺寸误差为零的情况下进行OPC验证。

3.如权利要求1所述的一种基于MEEF的OPC验证方法,其特征在于:该预设规格是指基于硅片光刻目标尺寸的最小硅片尺寸。

4.如权利要求3所述的一种基于MEEF的OPC验证方法,其特征在于:该预设规格为95%硅片光刻目标尺寸。

5.如权利要求3所述的一种基于MEEF的OPC验证方法,其特征在于:于步骤三中,利用OPC验证工具计算同一图形的MEEF值,选择MEEF值超过2的图形点。

6.如权利要求5所述的一种基于MEEF的OPC验证方法,其特征在于:该最大掩模板误差为0.008um至0.018um。

7.如权利要求5所述的一种基于MEEF的OPC验证方法,其特征在于:于步骤七中,该最小硅片尺寸规格为基于硅片光刻目标尺寸的最小允许硅片尺寸,为90%硅片光刻目标尺寸。

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