[发明专利]一种基于MEEF的OPC验证方法

说明书

本发明公开了一种基于MEEF的OPC验证方法，该方法在传统OPC验证的基础上，对版图进行MEEF分析，根据模拟尺寸、MEEF值以及最大掩模板误差获得最小硅片尺寸，根据预定规格选择不符合规格的图形点，并对该图形点量测掩模板尺寸以及量测硅片尺寸，如果掩模板尺寸超出规格则重新制作掩模板，否则如果硅片尺寸超出规格则优化OPC方法,本发明通过基于MEEF的OPC验证，能够检测在掩模板尺寸存在误差的情况下是否会导致硅片上图形缺陷的问题，同时，本发明通过对工艺热点风险较高的图形点进行掩模板尺寸测量，能进一步确保掩模板的质量，降低掩模板尺寸误差带来硅片图形缺陷的风险。

技术领域

本发明涉及微电子版图数据光学修正领域，特别是涉及一种基于MEEF(掩模板误差增强因子)的OPC验证方法。

背景技术

在半导体制造掩模板出版过程中，OPC(Optical Proximity Correction,光学邻近效应修正)技术已经广泛的得到应用。目前应用最为广泛的OPC方法是基于模型的OPC修正方法，通过OPC模型的模拟计算得到微影工艺潜在的成像误差，从而对目标图形进行预先修正以补偿光学临近效应造成的图形失真或变形。随着技术节点的往前推进半导体制造的特征尺寸不断缩小，对微影成像的精度要求也越来越高，这就要求OPC的修正精度必须达到工艺的需求。在基于模型的OPC方法中，OPC验证已经成为OPC处理流程中一个必不可少的步骤，其基本原理是通过对掩模板图形(也即OPC修正后的图形)进行全局模拟并检查是否存在工艺热点，以此判断OPC修正是否正确。

在基于最佳工艺条件的OPC验证中，利用经过校正的OPC模型对全数据版图进行模拟，从而检查OPC后版图是否存在OPC修正问题，这些修正问题可能导致硅片上诸如Bridge，Pinch以及互联不足等缺陷，然而目前的OPC验证是基于掩模板不存在制作误差进行的，也就是说，在模拟过程中假定OPC后图形与掩模板上的实际图形不存在任何偏差。

由掩模板尺寸误差引起的硅片尺寸误差称为MEEF(掩模板误差增强因子)，MEEF的大小与微影工艺的曝光条件(光源，NA，Sigma，光阻等)有关，也跟不同图形的图形结构(1D，2D，图形密度等)相关；在实际半导体制造工艺中，同一技术节点的光刻工艺条件都已经确定，因此一般MEEF就取决于图形本身；MEEF大的图形意味着小的掩模板尺寸误差会造成大的硅片尺寸误差，而MEEF值小表示硅片尺寸变化对掩模板尺寸偏差不敏感。

综上所述，在传统的OPC模拟验证过程中，由于假定掩模板制作过程不存在误差，因此如果掩模板尺寸存在一定的误差，就无法得到精确的验证结果，存在使工艺热点遗漏的风险。

发明内容

为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种基于MEEF的OPC验证方法，其通过基于MEEF的OPC验证，能够检测在掩模板尺寸存在误差的情况下是否会导致硅片上图形缺陷的问题，本发明能够检测并验证工艺热点风险；同时，本发明通过对工艺热点风险较高的图形点进行掩模板尺寸测量，能进一步确保掩模板的质量，降低掩模板尺寸误差带来硅片图形缺陷的风险。

为达上述目的，本发明提出一种基于MEEF的OPC验证方法，该方法在传统OPC验证的基础上，对版图进行MEEF分析，根据模拟尺寸、MEEF值以及最大掩模板误差获得最小硅片尺寸，根据预定规格选择不符合规格的图形点，并对该图形点量测掩模板尺寸以及量测硅片尺寸，如果掩模板尺寸超出规格则重新制作掩模板，否则如果硅片尺寸超出规格则优化OPC方法。

进一步地，该方法包括如下步骤：

步骤一，进行常规OPC验证；

步骤二，利用OPC模型模拟OPC后图形得到模拟尺寸，选择模拟尺寸小于预设规格的图形；

步骤三，对版图进行MEEF分析，选择MEEF值超出规定的图形点；

步骤四，根据模拟尺寸与MEEF值计算最大掩模板尺寸误差情况下的最小硅片尺寸；