[发明专利]激光器的侧边耦合光栅及其制备方法、包含其的激光器

权利要求书

1.一种激光器的侧边耦合光栅的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1：刻蚀制备激光器脊条波导，在所述脊条波导上做好电子束光刻对准标记并涂上光刻胶；

步骤2：对涂上光刻胶的脊条波导两侧进行初步电子束曝光；

步骤3：确定电子束曝光后的光栅掩膜与脊条波导的距离偏差，并在光栅版图中修正这一偏差；

步骤4：利用修正的光栅版图对样品进行正式电子束曝光并显影；

步骤5：溅射金属并进行剥离，形成侧边耦合光栅；

其中，在所述脊条波导两侧宽度为2-3μm的范围内进行电子束曝光。

2.如权利要求1所述的激光器的侧边耦合光栅的制备方法，其特征在于，所述的激光器脊条波导是通过干刻蚀法形成，脊条波导的宽度为3～5μm。

3.如权利要求1所述的激光器的侧边耦合光栅的制备方法，其特征在于，步骤2中的电子束曝光对准标记采用接触式紫外光刻制备。

4.如权利要求1所述的激光器的侧边耦合光栅的制备方法，其特征在于，步骤3中的光栅版图利用软件进行绘制编辑。

5.如权利要求1所述的激光器的侧边耦合光栅的制备方法，其特征在于，所述的光栅掩膜图形与脊条波导之间的距离偏差，是通过SEM观察确定。

6.如权利要求1所述的激光器的侧边耦合光栅的制备方法，其特征在于，步骤4中的显影采用的显影液是四甲基二戊酮和异丙醇的混合溶液。

7.采用权利要求1-6任一所述制备方法制备的激光器的侧边耦合光栅。

8.一种激光器，包含权利要求7所述的侧边耦合光栅。

9.如权利要求8所述的激光器，其特征在于，所述激光器为锑化物分布反馈激光器。