[发明专利]湿式蚀刻装置在审
申请号: | 201610268179.8 | 申请日: | 2016-04-27 |
公开(公告)号: | CN107316825A | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 黄荣龙;吕峻杰;陈滢如 | 申请(专利权)人: | 盟立自动化股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 装置 | ||
1.一种湿式蚀刻装置,其特征在于,包括:
一腔体,包括:
一进气口,用于导入一蚀刻所需气体;以及
一出气口,用于导出该蚀刻所需气体;
若干个蚀刻液喷嘴,设置于该腔体中以对一基板进行蚀刻;以及
一承载平台,包括:
一本体,设置于该基板下方;以及
若干个平台喷嘴,贯穿该本体,一液体透过这些平台喷嘴提供一液体浮力以承载该基板。
2.根据权利要求1所述的湿式蚀刻装置,其特征在于,进一步包括:
一抽风模块,连接至该进气口及该出气口且用于将该腔体内部之蚀刻所需气体从该出气口抽出。
3.根据权利要求1所述的湿式蚀刻装置,其特征在于,进一步包括一定位单元,该定位单元设置于该本体上并用于将该基板限定在一特定范围内。
4.根据权利要求1所述的湿式蚀刻装置,其特征在于,该液体为水或制程所需药液。
5.根据权利要求1所述的湿式蚀刻装置,其特征在于,该本体之表面每平方公分包括一至五个平台喷嘴。
6.根据权利要求1所述的湿式蚀刻装置,其特征在于,各平台喷嘴之一口径为0.5公厘至1.5公厘。
7.根据权利要求1所述的湿式蚀刻装置,其特征在于,这些平台喷嘴与该基板之间的距离为1公厘至6公厘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造