[发明专利]湿式蚀刻装置在审
申请号: | 201610268179.8 | 申请日: | 2016-04-27 |
公开(公告)号: | CN107316825A | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 黄荣龙;吕峻杰;陈滢如 | 申请(专利权)人: | 盟立自动化股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 装置 | ||
技术领域
本发明涉及湿式制程领域,特别是涉及一种湿式蚀刻装置。
背景技术
在面板产业中,湿式制程的发展已经相当成熟。然而现有湿式制程机台中,使用上具有维修困难、耗液量大、均匀性不佳、漏夜、及背面脏污等等问题,上述问题在细线宽(fine pitch)的情况下特别严重。
上述背面脏污的问题大部分的原因是支撑一基板并移动该基板的滚轮所造成,对于超薄基板而言,常常需要用到数以千计的滚轮,使用数量庞大的滚轮除了价格高昂之外,也不利于维护保养,甚至会在基板的背面(即与滚轮接触的一面)形成滚痕(roller mark)。再者,现有立体(3D)封装需要进行双面制程,使用滚轮承载基板的湿式蚀刻装置无法对基板的背面进行蚀刻制程。
因此需要针对上述现有技术中蚀刻液喷洒在基板上时均匀性不佳的问题提出解决方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种湿式蚀刻装置,其能解决现有技术中使用滚轮承载基板的问题。
本发明之湿式蚀刻装置包括一腔体、若干个蚀刻液喷嘴、以及一承载平台。该腔体包括一进气口以及一出气口。该进气口用于导入一蚀刻所需气体。该出气口用于导出该蚀刻所需气体。这些蚀刻液喷嘴设置于该腔体中以对一基板进行蚀刻。该承载平台包括一本体以及若干个平台喷嘴。该本体设置于该基板下方。这些平台喷嘴贯穿该本体,一液体透过这些平台喷嘴提供一液体浮力以承载该基板。
在一较佳实施例中,该湿式蚀刻装置进一步包括一抽风模块。该抽风模块连接至该进气口及该出气口且用于将该腔体内部之蚀刻所需气体从该出气口抽出附加电路板。
在一较佳实施例中,该湿式蚀刻装置进一步包括一定位单元。该定位单元设置于该本体上并用于将该基板限定在一特定范围内。
在一较佳实施例中,该液体为水或制程所需药液。
在一较佳实施例中,该本体之表面每平方公分包括一至五个平台喷嘴。
在一较佳实施例中,各平台喷嘴之一口径为0.5公厘至1.5公厘。
在一较佳实施例中,这些平台喷嘴与该基板之间的距离为1公厘至6公厘。
本发明之湿式蚀刻装置能避免基板的背面脏污的问题、减少 滚痕并能进行双面制程。再者,蚀刻所需气体经由抽风模块抽出后可进一步再生使用,对蚀刻液进行加压的功能,因此能节省气体使用量。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
附图说明
图1显示根据本发明一第一实施例之湿式蚀刻装置之示意图。
图2显示根据本发明一第二实施例之湿式蚀刻装置之示意图。
具体实施方式
请参阅图1,图1显示根据本发明一第一实施例之湿式蚀刻装置1之示意图。
如图1所示,本发明之湿式蚀刻装置1包括若干个蚀刻液喷嘴10、一腔体20、一承载平台40、以及一抽风模块50。
这些喷嘴10设置于该腔体20中以对一基板30进行蚀刻,更明确地说,这些蚀刻液喷嘴10设置于该基板30的上方。该基板30可以为目前湿式制程中需要进行蚀刻的基板,例如但不限于为一玻璃基板。该承载平台40设置于该腔体20中并用于非接触地承载该基板30。
该腔体20主要包括一进气口200以及一出气口202。于本 实施例中,该进气口200及该出气口202分别设置于该腔体20之两相对的侧壁上,然而本发明并不限于此,该进气口200及该出气口202可设置于该腔体20之相同或不同侧壁上。
该进气口200用于导入一蚀刻所需气体,该抽风模块50连接至该出气口202,该抽风模块50用于将该腔体20内部之蚀刻所需气体从该出气口202抽出,抽出之蚀刻所需气体可以再透过该进气口200导入,达到再生使用的目的,节省蚀刻所需气体之使用量。
要说明的是,蚀刻所需气体为本发明所属技术领域中具有通常知识者所熟知,此不多加赘述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造