[发明专利]半导体芯片模块和包括该半导体芯片模块的半导体封装件

说明书

半导体芯片模块和包括该半导体芯片模块的半导体封装件。该模块包括芯片单元，包括第一和第二半导体芯片且具有第一表面，第一和第二半导体芯片在单体上形成为在第一方向上与介于其间的划线区域相邻，第一和第二半导体芯片的接合焊盘位于第一表面上；重分配线，形成在第一表面上，具有分别与接合焊盘电联接的一组端部，且在与第一方向倾斜的方向上向划线区域延伸；及重分配焊盘，设置在第一表面上，且与重分配线的另一组端部电联接。重分配焊盘包括：共享重分配焊盘，共同与和第一半导体芯片的接合焊盘电联接的重分配线及和第二半导体芯片的接合焊盘电联接的重分配线电联接；及单独重分配焊盘，各自与未与共享重分配焊盘电联接的重分配线电联接。

技术领域

各种实施方式总体上涉及一种半导体技术，且更具体地，涉及一种半导体芯片模块和包括该半导体芯片模块的半导体封装件。

背景技术

在半导体装置中出现的故障模式存在各种类型。由电现象引起的故障模式包括电气过载(EOS)和静电释放(ESD)。

ESD现象指的是随着静电流动而发生的现象。由ESD现象引起的静电流可能被施加到半导体装置中的二极管或晶体管，并破坏这些元件的功能。也就是说，由静电引发的高电流被施加到二极管的PN结之间并导致结穿刺(junction spike)，或者损坏晶体管的栅极介电层并且使栅极、漏极和源极短路，由此使元件的可靠性显著下降。

根据静电产生的原因，ESD现象被分类成人体模型(HBM)、机器模型(MM)和带电装置模型(CDM)。HBM表示在带电人体内产生的静电通过半导体装置中的元件被瞬间放电并且损坏该元件的现象。MM表示在带电机器内产生的静电通过半导体装置中的元件被瞬间放电并且损坏该元件的现象。CDM表示在制造半导体装置的过程中在半导体装置内累积的静电通过与外部导体接地被瞬间放电并且损坏该半导体装置中的元件的现象。

在CDM中，因为半导体装置自身被该半导体装置中带电的电荷损坏，所以CDM对产品的可靠性施加有重大影响。因此，半导体装置制造商不断努力通过充放电建模来测量CDM特性，并由此确保由客户所要求的CDM特性级别。

发明内容

在一种实施方式中，一种半导体芯片模块可以包括芯片单元，所述芯片单元包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，并且具有第一表面和背离所述第一表面的第二表面，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片在单一体上被形成为在第一方向上与介于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的划线区域相邻，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的接合焊盘位于所述第一表面上。所述半导体芯片模块还包括多条重分配线，所述多条重分配线被形成在所述第一表面上，具有分别与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的所述接合焊盘电联接的一组端部，并且在与所述第一方向倾斜的方向上朝向所述划线区域延伸。所述半导体芯片模块还包括多个重分配焊盘，所述多个重分配焊盘被设置在所述第一表面上，并且与所述重分配线的背离所述一组端部的另一组端部电联接。所述重分配焊盘包括：一个或更多个共享重分配焊盘，所述一个或更多个共享重分配焊盘共同地与和所述第一半导体芯片的所述接合焊盘电联接的一条或更多条所述重分配线以及和所述第二半导体芯片的所述接合焊盘电联接的一条或更多条所述重分配线电联接；以及多个单独的重分配焊盘，所述多个单独的重分配焊盘各自与未与所述共享重分配焊盘电联接的所述重分配线电联接。