[发明专利]芯片定位装置以及芯片定位方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子元件领域，特别是涉及一种用于倒装型多层陶瓷电容器的芯片的封端定位的芯片定位装置以及芯片定位方法。

背景技术

倒装型多层陶瓷电容器是一类特殊设计的多层陶瓷电容器，规格包括0204、0306、0508、0612等，与常规多层陶瓷电容器的区别在于电容芯片的长和宽的颠倒。比如，与常规多层陶瓷电容器的0402规格(长0.04英寸，宽0.02英寸)相对应的倒装型多层陶瓷电容器即是0204规格(长0.02英寸，宽0.04英寸)。倒装型多层陶瓷电容器具有较之常规品大幅减小的长宽比，因此大幅降低了等效串联电感，特别适合于电子设备中高速去耦的应用场合。

如图1所示，对于常规多层陶瓷电容器，把芯片的长和宽(L和W)形成的表面称为主面，芯片的长和厚(L和T)形成的表面称为长侧面，芯片的宽和厚(W和T)形成的表面称为短侧面。如图2所示，对于倒装型多层陶瓷电容器，芯片200的长和宽(L和W)形成的表面则为主面，芯片200的长和厚(L和T)形成的表面则为短侧面，芯片200的宽和厚(W和T)形成的表面则为长侧面。常规多层陶瓷电容器的端电极形成于芯片的相对的两个短侧面上，而倒装型多层陶瓷电容器的端电极则需形成于芯片200的相对的两个长侧面上。

然而，将倒装型多层陶瓷电容器的芯片导入封端板的板孔时，容易发生芯片定位取向错误的问题，使端电极误被形成于芯片的相对的两个短侧面上，因此倒装型多层陶瓷电容器的芯片的封端效率较低。

发明内容

基于此，有必要提供一种可以提高封端效率、用于倒装型多层陶瓷电容器的芯片的封端定位的芯片定位装置以及芯片定位方法。

一种芯片定位装置，用于倒装型多层陶瓷电容器的芯片的封端定位，包括：

第一导板，所述第一导板上设置有多个均匀排列的第一通孔，所述第一通孔的形状为长方形，所述第一通孔的长度与所述芯片的宽度相匹配，所述第一通孔的宽度不小于所述芯片的长度与所述芯片的厚度的三分之二之和，并且所述第一通孔的宽度不大于所述芯片的长度与所述芯片的厚度的五分之四之和；

第二导板，所述第二导板上设置有多个均匀排列的第二通孔，所述第二通孔的形状为长方形，所述第二通孔的数量与所述第一通孔的数量相同，所述第二通孔的分布位置与所述第一通孔的分布位置一一对应，所述第二通孔的长度与所述第一通孔的长度相等，所述第二通孔的宽度大于所述第一通孔的宽度与所述芯片的厚度的二分之一之差，并且所述第二通孔的宽度小于所述第一通孔的宽度与所述芯片的厚度的三分之一之差；以及

定位板，所述定位板上设置有多个均匀排列的第三通孔，所述第三通孔的形状为长方形，所述第三通孔的数量与所述第二通孔的数量相同，所述第三通孔的分布位置与所述第二通孔的分布位置一一对应，所述第三通孔的长度与所述第二通孔的长度相等，所述第三通孔的宽度与所述芯片的厚度相匹配，所述第三通孔的深度不小于所述芯片的长度的三分之一，并且所述第三通孔的深度不大于所述芯片的长度的二分之一。

在一个实施例中，所述第一通孔的深度不小于所述芯片的厚度的二分之一，并且所述第一通孔的深度不大于所述芯片的长度的二分之一。

在一个实施例中，所述第二通孔的深度不小于所述芯片的厚度。

在一个实施例中，所述第一通孔的长度与所述芯片的宽度相匹配，所述第一通孔的宽度不小于所述芯片的长度与所述芯片的厚度的三分之二之和，并且所述第一通孔的宽度不大于所述芯片的长度与所述芯片的厚度的五分之四之和，使得所述芯片以所述芯片的长度和宽度形成的主面为前端进入所述第一通孔时，所述第一通孔能够容纳所述芯片，并且所述芯片的长度方向与所述第一通孔的宽度方向平行，所述芯片的宽度方向与所述第一通孔的长度方向平行。

在一个实施例中，所述第三通孔的长度与所述第二通孔的长度相等，所述第三通孔的宽度与所述芯片的厚度相匹配，使得所述芯片以所述芯片的宽度和厚度形成的长侧面为前端进入所述第三通孔内时，所述第三通孔刚好能够容纳所述芯片。

在一个实施例中，所述芯片的厚度不超过所述芯片的长度的75％。

一种芯片定位方法，采用上述的芯片定位装置完成倒装型多层陶瓷电容器的芯片的封端定位，包括如下步骤：

将粘胶带粘贴在所述定位板的一个表面上；

将所述第二导板层叠在所述定位板的另一个表面上，接着将所述第一导板层叠在所述第二导板上；

将多个所述芯片以所述芯片的长度和宽度形成的主面为前端进入所述第一通孔；以及