[发明专利]一种用于太阳能电池吸收层的铜铟镓硒薄膜的制备方法

权利要求书

1. 一种用于太阳能电池吸收层的铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①在镀钼的钠钙玻璃基底上制备铜铟镓预置层；所述铜铟镓预置层采用直流磁控共溅射法制备，具体过程如下：将镀钼的钠钙玻璃基底放入磁控溅射腔室中，共溅射CuIn合金靶和CuGa合金靶制备铜铟镓预置层，本底真空为4~5×10^-4 Pa，工作压强0.7~0.8 Pa，CuIn合金靶的溅射功率为90 W，CuGa合金靶的溅射功率为20 W，溅射时间60 min；②将铜铟镓预置层放入快速退火炉中，25~30s内升温至280~285℃，保温20~30min，然后采用固态硒源在560~565℃下硒化20~30min，自然冷却至室温，即可得到铜铟镓硒薄膜。

2.如权利要求1所述铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于，CuIn合金靶的原子数比为Cu:In=1:4，CuGa合金靶的原子数比例Cu:Ga=4:1。