[发明专利]倒装芯片的封装方法及封装装置有效
申请号: | 201610282085.6 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN105762084B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 石磊 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/683 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 226001 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 倒装 芯片 封装 方法 装置 | ||
1.一种倒装芯片的封装方法,其特征在于,包括:
提供载体、多个相互独立的封装基板以及多个半导体芯片,所述载体包括承载区域,所述承载区域设置有用于定位每个所述封装基板的定位标记,且所述载体上设置有固定部,所述封装基板是从母基板上分离出来的单独的基板单元,每个所述封装基板用于封装至少一个所述半导体芯片,所述半导体芯片的表面包括第一表面和第二表面,所述第一表面上形成有第一连接端子,所述封装基板包括第三表面和第四表面,所述第三表面上形成有第二连接端子;
利用所述固定部将所述载体固定于封装设备的机台上,并根据所述定位标记将多个所述封装基板通过胶膜固定于所述承载区域内;
将所述半导体芯片的第一表面和对应的所述封装基板的第三表面相对设置且使所述第一连接端子和所述第二连接端子焊接在一起;
在所述半导体芯片的部分第二表面上设置一层阻挡层;
在所述阻挡层和所述承载区域之间的空间填充塑封材料;
固化所述塑封材料以在所述半导体芯片的表面形成封装层;
移除所述阻挡层,以暴露部分所述第二表面;
在暴露的所述第二表面上形成散热层;
其中,所述阻挡层为具有弹性的胶膜,所述在所述半导体芯片的部分第二表面上设置一层阻挡层的步骤包括:在塑封模具的上膜上设置所述阻挡层,并使所述上膜通过所述阻挡层压合于所述第二表面上。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述载体呈凹槽结构,所述凹槽结构包括首尾连接的四条边框和与所述四条边框连接的凹槽底部,所述承载区域位于所述凹槽底部,所述固定部为设置在所述边框上的定位孔。
3.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述载体为平板状的承载板,所述固定部为设置在所述承载板上的定位孔。
4.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,在移除所述阻挡层的步骤之后,包括:
对位于所述封装基板之间的封装层进行切割以分离多个所述封装基板,并使所述封装基板中除所述第四表面之外的其余表面均形成有所述封装层。
5.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述将所述半导体芯片的第一表面和对应的所述封装基板的第三表面相对设置且使所述第一连接端子和所述第二连接端子焊接在一起的步骤之后,包括:
在所述半导体芯片的第一表面和对应的所述封装基板的第三表面之间形成底部填充层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造