[发明专利]倒装芯片的封装方法及封装装置有效
申请号: | 201610282085.6 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN105762084B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 石磊 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/683 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 226001 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 倒装 芯片 封装 方法 装置 | ||
本发明公开了一种倒装芯片的封装方法及封装装置,所述方法包括提供载体和封装基板,所述载体包括承载区域,且所述载体上设置有固定部,所述封装基板用于封装半导体芯片;利用所述固定部将所述载体固定于封装设备的机台上,并将所述封装基板固定于所述承载区域内,以对所述半导体芯片进行封装。通过上述方式,本发明能够节省基板空间,减少基板材料浪费,有利于降低成本。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种倒装芯片的封装方法及封装装置。
背景技术
互连技术是微电子封装中的关键技术之一,对微电子封装产品质量、效率和成本有着重大影响,主要包括导线键合和倒装芯片(Flip chip)两种封装技术。倒装芯片封装具有高密度、高性能和轻薄短小的特点,能够使得封装成本更低、容易实现堆叠芯片和三维封装工艺,已成为封装技术的主要发展发现。
参阅图1和图2,倒装芯片封装技术主要是在半导体芯片11的作用表面上沉积锡铅球13,然后将半导体芯片11的作用表面朝下翻转加热以利用熔融的锡铅球13与基板单元12或其他载体、电路板等上的线路或者引脚相结合。在将半导体芯片11和基板单元12相结合后,对半导体芯片11进行塑封,从而在半导体芯片11的表面形成封装层14,封装层14包裹整个半导体芯片11的表面,以保护半导体芯片11及基板单元12。
如图2所示,现有的封装技术中,大多数情况下是进行“多芯片封装”,即使用一块母基板20划分为多个基板单元12,然后将多个半导体芯片11一一倒装在多个基板单元12上,每个基板单元12对应封装一个半导体芯片11。将半导体芯片11倒装在基板单元12上后,对半导体芯片11进行塑封,然后对母基板20进行切割以分离多个基板单元,从而得到多个独立的封装结构。由于母基板20面积较大,封装过程中容易受应力影响而产生形变翘曲,因此基板单元12之间通常预留一定的空间或者在基板单元12之间的部分区域挖空以减小受到的应力。
在封装过程中,母基板20直接置于封装设备的机台上,为了将母基板20和设备的机台固定,例如在塑封过程中,母基板20需与塑封设备的机台固定,母基板20上通常设置有定位孔201,然后将机台上的定位针穿过母基板20上的定位孔201,从而将母基板20固定在机台上。然而,上述方式中,母基板20需要预留一定的空间来设置定位孔201,在切割之后设置有定位孔201的基板区域将会被丢弃,如此一来母基板无法完全用来封装半导体芯片,导致基板材料浪费,不利于生产成本降低。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种倒装芯片的封装方法及封装装置,能够提高基板的利用率,有利于成本降低。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种倒装芯片的封装方法,包括:提供载体和封装基板,所述载体包括承载区域,且所述载体上设置有固定部,所述封装基板用于封装半导体芯片;利用所述固定部将所述载体固定于封装设备的机台上,并将所述封装基板固定于所述承载区域内,以对所述半导体芯片进行封装。
其中,所述载体呈凹槽结构,所述凹槽结构包括首尾连接的四条边框和与所述四条边框连接的凹槽底部,所述承载区域位于所述凹槽底部,所述固定部为设置在所述边框上的定位孔。
其中,所述凹槽的底部为粘贴在所述边框上的胶膜。
其中,所述载体为平板状的承载板,所述固定部为设置在所述承载板上的定位孔。
其中,所述封装基板的数量为多个,多个所述封装基板相互独立,每个所述封装基板用于封装至少一个所述半导体芯片,所述承载区域设置有用于定位每个所述封装基板的定位标记;所述将所述封装基板固定于所述承载区域内的步骤包括:根据所述定位标记将多个所述封装基板固定在所述承载区域上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造