[发明专利]像素阵列及其制造方法和有机发光二极管阵列基板有效
申请号: | 201610284035.1 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN105789261B | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 杜小波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 彭久云,李颖 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 及其 制造 方法 有机 发光二极管 | ||
1.一种像素阵列,包括多个像素,其中,每个像素包括四个子像素,所述四个子像素的大小彼此相同并且形状均为等腰梯形,所述四个子像素被排布成正六边形的一半的形式;
其中每个像素由第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素构成,其中,第一子像素和第二子像素设置为以相对于该像素的水平中心线镜面对称,第三子像素和第四子像素设置为以相对于该像素的竖直中心线镜面对称;
其中所述第一子像素、第二子像素和第三子像素的颜色彼此不同,所述第三子像素和第四子像素的颜色相同。
2.根据权利要求1所述的像素阵列,其中所述正六边形的边长等于所述等腰梯形的下底边的长度。
3.根据权利要求2所述的像素阵列,其中同一列上相邻的两个像素中,沿竖直方向上相邻的且彼此具有相同颜色的两个子像素构成一正六边形。
4.根据权利要求2所述的像素阵列,其中同一行上相邻的两个像素中,沿与水平方向呈30°或150°的斜向方向上相邻的且彼此具有相同颜色的两个子像素构成一正六边形。
5.一种有机发光二极管阵列基板,包括有机发光层,其中有机发光层具有权利要求1至4任一项所述的像素阵列。
6.一种制造权利要求1所述的像素阵列的方法,包括采用同一个掩模版制作四种子像素图案,所述四种子像素图案中三种子像素图案的颜色彼此不同。
7.根据权利要求6所述的方法,包括:
利用所述掩模版制作具有第一颜色的子像素图案;
将所述掩模版沿竖直方向平移一个开口宽度的距离,制作具有第二颜色的子像素图案;
将所述掩模版沿与水平方向夹角为30°的角度平移一个开口宽度的距离,制作具有第三颜色的子像素图案;
将所述掩模版沿竖直方向平移一个开口宽度的距离,制作具有第四颜色的子像素图案,其中第四颜色和第三颜色的颜色相同。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其中所述掩模版包括排布为阵列形式的多个开口,所述多个开口的大小彼此相同并且形状均为所述正六边形。
9.根据权利要求6所述的方法,其中在同一列上的多个开口以相同的间距排布,所述间距为所述正六边形的宽度。
10.根据权利要求6所述的方法,其中相邻两列上的开口彼此错位排布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的