[发明专利]像素阵列及其制造方法和有机发光二极管阵列基板有效
申请号: | 201610284035.1 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN105789261B | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 杜小波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 彭久云,李颖 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 及其 制造 方法 有机 发光二极管 | ||
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素阵列及其制造方法和有机发光二极管阵列基板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,即OLED)器件的发光结构包括一对电极以及有机发光层。当施加直流电压时,空穴从阳极注入有机发光层,电子从阴极注入有机发光层,电子和空穴在发光层中结合放出能量,激发有机发光材料分子形成激发态分子,当激发态分子回到基态时,便会放出光子而发光。
OLED显示屏的制作方法有许多种,其中OLED蒸镀技术是通过将有机发光材料蒸发并且透过高精度金属掩模版(Fine Metal Mask,FMM)在阵列基板上对应像素的位置形成有机发光器件。每个像素(pixel)包含有红,绿,蓝(R,G,B)子像素,每个子像素呈四边形,每个子像素都具有独立的有机发光器件。
由于掩模版的开口面积有规格下限,以及为了避免制作过程中的公差(tolerance)影响,相邻像素的开口之间需要预留足够的间隙(gap)而导致像素密度无法大幅提升。而且,不同颜色的子像素由不同的掩模版制成,其排布密度不能提高,因此分辨率也无法提高。而且,由于蒸镀有“阴影效应”,两个发光区之间还要有一定的间隔以防止混色,因此Mask开口不能做的很小。
发明内容
本公开第一方面提供了一种像素阵列,包括多个像素,其中,每个像素包括四个子像素,所述四个子像素的大小彼此相同并且形状均为等腰梯形,所述四个子像素被排布成正六边形的一半的形式。
本公开第二方面提供了一种有机发光二极管阵列基板,包括有机发光层,其中有机发光层具有上述像素阵列。
本公开第三方面提供了一种制造上述像素阵列的方法,包括采用同一个掩模版制作四种子像素图案,所述四种子像素图案中至少三种子像素图案的颜色彼此不同。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1示意性示出了根据本公开实施例的像素阵列;
图2示意性示出了图1的像素阵列的局部放大图;
图3示意性示出了图1的像素阵列中的两个像素;
图4示意性示出了图1的像素阵列的局部放大图;
图5示意性示出了根据本公开实施例的掩模版;
图6示意性示出了根据本公开实施例的红色子像素图案;
图7示意性示出了根据本公开实施例的绿色子像素图案;
图8和图9示意性示出了根据本公开实施例的蓝色子像素图案;
图10示意性示出了本公开实施例的像素阵列的制造方法的流程图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同,并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则所述相对位置关系也可能相应地改变。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的