[发明专利]VDMOS器件的制作方法有效
| 申请号： | 201610287331.7 | 申请日： | 2016-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107342224B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张洋;刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | vdmos 器件 制作方法 | ||
1.一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：
在N型外延层上生长栅氧化层并在所述栅氧化层上淀积本征多晶硅层；
对所述本征多晶硅层及所述栅氧化层进行光刻、刻蚀，保留左右两侧区域的栅氧化层和本征多晶硅层；
制作所述VDMOS器件的体区；
以三氯氧磷为反应气体，进行本征多晶硅掺杂，形成具有饱和N型多晶硅层的栅极，并在所述体区中形成源区；
在形成源区后的图案上形成介质层，所述介质层为凹槽型；
对凹槽型介质层进行光刻、刻蚀，刻蚀掉凹槽型介质层的底部，并刻蚀掉凹槽型介质层的底部下方的源区；
在刻蚀掉凹槽型介质层的底部下方的源区后形成的图案上形成金属层，并制作金属引线；
其中，所述对凹槽型介质层进行光刻、刻蚀，刻蚀掉凹槽型介质层的底部，并刻蚀掉凹槽型介质层的底部下方的源区具体包括：
对凹槽型介质层进行光刻、刻蚀，刻蚀掉凹槽型介质层的底部，并保留进行光刻、刻蚀后的介质层上方的光刻胶；
在所述光刻胶的阻挡下，对源区继续进行刻蚀，刻蚀掉凹槽型介质层的底部下方的源区。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在N型外延层上生长栅氧化层并在所述栅氧化层上淀积本征多晶硅层，具体包括：
采用干法热氧化生长工艺，在所述N型外延层上生长栅氧化层；
采用化学气相淀积工艺，在所述栅氧化层上淀积本征多晶硅层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述制作所述VDMOS器件的体区具体为：
对所述VDMOS器件进行P型离子注入和高温驱入，在所述N型外延层内形成体区。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述P型离子注入的离子为硼离子，剂量为1.0E13-1.0E15个/平方厘米，能量可以为60-120KEV。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述高温驱入的温度为900-1150摄氏度，所述高温驱入的时间为50-300分钟。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为500-1500埃，所述本征多晶硅层的厚度为4000-8000埃。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述本征多晶硅层的厚度为6000埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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