[发明专利]VDMOS器件的制作方法

说明书

本发明提供了一种VDMOS器件的制作方法，该方法包括：在N型外延层上生长栅氧化层并在栅氧化层上淀积本征多晶硅层；对本征多晶硅层及栅氧化层进行光刻、刻蚀，保留左右两侧区域的栅氧化层和本征多晶硅层；制作VDMOS器件的体区；以三氯氧磷为反应气体，进行本征多晶硅掺杂，形成具有饱和N型多晶硅层的栅极，并在体区中形成源区；在形成源区后的图案上形成介质层，介质层为凹槽型；对凹槽型介质层进行光刻、刻蚀，刻蚀掉凹槽型介质层的底部，并刻蚀掉凹槽型介质层的底部下方的源区；在刻蚀掉凹槽型介质层的底部下方的源区后形成的图案上形成金属层，并制作金属引线，保证了VDMOS器件的高性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制作技术领域，尤其涉及一种VDMOS器件的制作方法。

背景技术

单垂直双扩散金属-氧化物半导体晶体管(简称：VDMOS)兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。无论开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。VDMOS器件主要用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。VDMOS器件分为增强型VDMOS器件和耗尽型VDMOS器件。

图11为现有技术中VDMOS器件的剖面结构示意图，图12为现有技术中VDMOS器件的制作流程图，如图11和图12所示，现有的VDMOS器件的制作方法包括以下几个步骤。步骤1201，在N型外延层2上依次形成栅氧化层3和本征多晶硅层；步骤1202，在炉管中，以三氯氧磷为反应气体，对本征多晶硅层进行N型饱和掺杂，将本征多晶硅层掺杂成饱和N型多晶硅层；步骤1203，对饱和N型多晶硅层进行光刻、刻蚀，形成栅极6并进行体区5的注入和驱入；步骤1204，在栅氧化层3的两栅极6之间形成光刻胶，以光刻胶为阻挡做源区7的注入，注入后去除光刻胶，并进行源区7的驱入；步骤1205，沉积介质层8，进行接触孔刻蚀，沉积金属层9，并做出金属引线。

从现有技术中VDMOS器件的制作流程可看出，在步骤1202中进行多晶硅层的掺杂，及在步骤1204中进行源区的注入和驱入时，均混合了N型离子，但需要多个重复的制作环节，使制作工艺复杂，并增加了VDMOS器件的制作成本。

发明内容

本发明实施例提供一种VDMOS器件的制作方法，解决了现有技术中制作VDMOS器件时需要多个重复的制作环节，使制作工艺复杂，并增加了VDMOS器件的制作成本的问题。

本发明实施例提供一种VDMOS器件的制作方法，包括：

在N型外延层上生长栅氧化层并在所述栅氧化层上淀积本征多晶硅层；

对所述本征多晶硅层及所述栅氧化层进行光刻、刻蚀，保留左右两侧区域的栅氧化层和本征多晶硅层；

制作所述VDMOS器件的体区；

以三氯氧磷为反应气体，进行本征多晶硅掺杂，形成具有饱和N型多晶硅层的栅极，并在体区中形成源区；

在形成源区后的图案上形成介质层，所述介质层为凹槽型；

对凹槽型介质层进行光刻、刻蚀，刻蚀掉凹槽型介质层的底部，并刻蚀掉凹槽型介质层的底部下方的源区；

在刻蚀掉凹槽型介质层的底部下方的源区后形成的图案上形成金属层，并制作金属引线。

进一步地，如上所述的方法，所述对凹槽型介质层进行光刻、刻蚀，刻蚀掉凹槽型介质层的底部，并刻蚀掉凹槽型介质层的底部下方的源区具体包括：

对凹槽型介质层进行光刻、刻蚀，刻蚀掉凹槽型介质层的底部，并保留进行光刻、刻蚀后的介质层上方的光刻胶；

在所述光刻胶的阻挡下，对源区继续进行刻蚀，刻蚀掉凹槽型介质层的底部下方的源区。

进一步地，如上所述的方法，所述在N型外延层上生长栅氧化层并在所述栅氧化层上淀积本征多晶硅层，具体包括：