[发明专利]系统级封装用陶瓷针栅阵列外壳平行缝焊用夹具有效
申请号: | 201610287857.5 | 申请日: | 2016-05-04 |
公开(公告)号: | CN105789097B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 彭博;张倩;张旭;杨振涛;于斐 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 黄辉本 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 系统 封装 陶瓷 阵列 外壳 平行 缝焊用 夹具 | ||
本发明公开了一种系统级封装用陶瓷针栅阵列外壳平行缝焊用夹具,涉及陶瓷封装外壳技术领域。本发明包括夹具基体,夹具基体上设有用于插接放置陶瓷外壳时,使陶瓷外壳上的所有引线穿入的引线孔,还设有与平行缝焊机工作台定位的定位孔。将外壳插装在缝焊夹具中,实现良好接触,在缝焊过程中,可利用缝焊夹具固定外壳并及时散热,有效避免缝焊时热应力直接作用在陶瓷侧壁,发生瓷裂漏气问题。
技术领域
本发明涉及陶瓷封装外壳技术领域,尤其是一种系统级封装用陶瓷针栅阵列外壳平行缝焊用夹具。
背景技术
系统级封装用陶瓷针栅阵列外壳具有优越的承载能力,方便集成多种混合集成电路,广泛应用于航空、航天等军事装备控制系统。该类产品具有形腔比小、薄壁、深腔等特点,常用的封口方式为平行缝焊。
平行缝焊是为了适应双列直插式集成电路金属管壳封装而发展起来的一种微电子器件封装技术,这种气密性封装工艺与其他熔封工艺相比,主要的优点是封装管壳局部高温。
平行缝焊属于电阻熔焊,当两个圆锥形滚轮电极施加在盖板两条对边边缘上,脉冲焊接电流从一个电极通过盖板和焊框,再从另一个电极回到焊接电源形成回路。由于电极与盖板及盖板与焊框之间存在接触电阻,焊接电流将在这两个接触电阻处产生焦耳能量。结果使盖板与焊框之间局部形成熔融状态,凝固后形成一个焊点。在焊接过程中,焊接电流是脉冲式的,每一个脉冲电流可以形成一个焊点,由于外壳作直线运动,电极在盖板上滚动,因此,外壳盖板的两个边形成两条平行的由彼此重叠的焊点组成的连续焊缝。
平行缝焊过程中瞬间产生的高热量会对陶瓷外壳造成热冲击,在后续可靠性试验时,由于残留应力经可靠性试验后得以累加并最终释放而导致结合强度降低,最后出现分层或开裂而漏气。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种系统级封装用陶瓷针栅阵列外壳平行缝焊用夹具,将外壳插装在缝焊夹具中,实现良好接触,在缝焊过程中,可利用缝焊夹具固定外壳并及时散热,有效避免缝焊时热应力直接作用在陶瓷侧壁,发生瓷裂漏气问题。
为解决上述技术问题,本发明所采取的技术方案是:一种系统级封装用陶瓷针栅阵列外壳平行缝焊用夹具,包括夹具基体,夹具基体上设有用于插接放置陶瓷外壳时,使陶瓷外壳上的所有引线穿入的引线孔,还设有与平行缝焊机工作台定位的定位孔。
进一步优选的技术方案,在夹具基体的四周均布有若干限位孔,用于连接限位挡板。
进一步优选的技术方案,在夹具基体的中间还设有沉槽,该沉槽的宽度和深度与背面带凸台热沉或双面立体式系统集成封装类外壳上的凸台适配。
进一步优选的技术方案,所述的引线孔的孔中心距为1.27mm或2.54mm。
进一步优选的技术方案,所述的引线孔的排布方式为交错排列的网格方式或阵列排列的网格方式。
进一步优选的技术方案,夹具基体的材质为铝合金。
进一步优选的技术方案,夹具基体的外形长宽尺寸≤150.00mm×150.00mm,夹具基体的高度≤20.00mm。
进一步优选的技术方案,夹具基体上下两平面的平行度为0.05mm。
进一步优选的技术方案,夹具基体下平面的平行度为0.05mm。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于:
(1)兼容性强,类似结构产品可共用夹具;
(2)满足缝焊散热要求,陶瓷外壳结构直接与铝合金夹具接触,热量直接经陶瓷外壳传递到夹具上,避免了以前仅由针引线散热不足的情况;
(3)具有限位和定位功能,便于使用,有利于批量产品加工;
(4)采用铝合金材料,易于加工;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造