[发明专利]LED芯片的模组化封装方法有效

专利信息
申请号: 201610288240.5 申请日: 2016-05-03
公开(公告)号: CN105789389B 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 彭娟;胡少坚;陈寿面 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/52;H01L33/62
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;尹英
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: led 芯片 模组化 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种LED芯片的模组化封装方法,其特征在于,包括:

步骤01:提供封装基板,并且对封装基板的表面进行绝缘处理;

步骤02:在所述封装基板中形成用于放置芯片的孔槽;

步骤03:在所述孔槽底部和侧壁电镀反射层;

步骤04:在所述孔槽底部涂覆固晶胶;

步骤05:将芯片安装于所述孔槽底部的所述固晶胶上;

步骤06:向完成所述步骤05的封装基板上涂布硅胶,并且在硅胶上覆盖铜板,并且利用铜板对所述固晶胶进行平整化处理;

步骤07:在对应于所述芯片上方的所述硅胶中和所述铜板中形成引线孔;

步骤08:在所述引线孔中填充导电金属,且去除位于铜板表面的多余导电金属;

步骤09:经光刻和刻蚀工艺,在所述铜板中形成焊接开孔;

步骤10:在所述焊接开孔中形成焊接球。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤01中,采用阳极氧化处理方式来进行所述绝缘处理,使封装基板表面形成绝缘层。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述孔槽的深度与所述芯片的厚度之差为0~1mm。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤03中,采用电化学镀方式在所述孔槽底部和侧壁电镀反射层;反射层为银层。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述银层的厚度为45~55nm。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤05中,采用FSA水流自封装工艺将所述芯片安装于所述孔槽底部的所述固晶胶上。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤05中,采用FSA水流自封装工艺中有部分孔槽未安装有所述芯片,此时,采用机械手臂将芯片放入所述部分孔槽中。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤06中,还包括采用掺有荧光粉的硅胶来调整所述LED的出光类型。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤07中采用激光形成所述引线孔。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤08中,采用电化学镀铜的方式在引线孔中沉积金属铜。

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