[发明专利]LED芯片的模组化封装方法有效
申请号: | 201610288240.5 | 申请日: | 2016-05-03 |
公开(公告)号: | CN105789389B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 彭娟;胡少坚;陈寿面 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/52;H01L33/62 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;尹英 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 芯片 模组化 封装 方法 | ||
1.一种LED芯片的模组化封装方法,其特征在于,包括:
步骤01:提供封装基板,并且对封装基板的表面进行绝缘处理;
步骤02:在所述封装基板中形成用于放置芯片的孔槽;
步骤03:在所述孔槽底部和侧壁电镀反射层;
步骤04:在所述孔槽底部涂覆固晶胶;
步骤05:将芯片安装于所述孔槽底部的所述固晶胶上;
步骤06:向完成所述步骤05的封装基板上涂布硅胶,并且在硅胶上覆盖铜板,并且利用铜板对所述固晶胶进行平整化处理;
步骤07:在对应于所述芯片上方的所述硅胶中和所述铜板中形成引线孔;
步骤08:在所述引线孔中填充导电金属,且去除位于铜板表面的多余导电金属;
步骤09:经光刻和刻蚀工艺,在所述铜板中形成焊接开孔;
步骤10:在所述焊接开孔中形成焊接球。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤01中,采用阳极氧化处理方式来进行所述绝缘处理,使封装基板表面形成绝缘层。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述孔槽的深度与所述芯片的厚度之差为0~1mm。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤03中,采用电化学镀方式在所述孔槽底部和侧壁电镀反射层;反射层为银层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述银层的厚度为45~55nm。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤05中,采用FSA水流自封装工艺将所述芯片安装于所述孔槽底部的所述固晶胶上。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤05中,采用FSA水流自封装工艺中有部分孔槽未安装有所述芯片,此时,采用机械手臂将芯片放入所述部分孔槽中。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤06中,还包括采用掺有荧光粉的硅胶来调整所述LED的出光类型。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤07中采用激光形成所述引线孔。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤08中,采用电化学镀铜的方式在引线孔中沉积金属铜。
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