[发明专利]半导体测试结构及其形成方法以及测试方法

权利要求书

1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底内具有阱区；

位于所述衬底内的阱区上的栅极结构阵列，所述栅极结构阵列中的各栅极结构一侧的阱区内具有源区，所述栅极结构阵列中的各栅极结构另一侧的阱区内具有漏区；

若干层层叠设置的天线结构，其中，所述栅极结构阵列中的每一栅极结构至少与一层天线结构电连接；

位于所述若干层层叠设置的天线结构之间的介质层，所述介质层用于相邻天线结构之间的电绝缘；

同层的所述天线结构包括第一梳状结构以及与所述第一梳状结构相对设置的第二梳状结构，所述第一梳状结构与第二梳状结构相互绝缘，其中，第一梳状结构包括第一梳柄部以及与所述第一梳柄部相连的分立的第一梳齿部，第二梳状结构包括第二梳柄部以及与所述第二梳柄部相连的分立的第二梳齿部，所述第一梳齿部与第二梳齿部间隔相嵌分布，且同层的第一梳状结构以及第二梳状结构分别与栅极结构阵列中的不同栅极结构电连接。

2.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构还包括：第一测试垫，所述第一测试垫与所述阱区电连接；第二测试垫，所述第二测试垫与所述源区电连接；第三测试垫，所述第三测试垫与所述漏区电连接。

3.如权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构还包括：与所述阱区电连接的第一顶层连接层，所述第一顶层连接层与第一测试垫电连接；与所述源区电连接的第二顶层连接层，所述第二顶层连接层与所述第二测试垫电连接；与所述漏区电连接的第三顶层连接层，所述第三顶层连接层与所述第三测试垫电连接。

4.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构还包括：位于所述栅极结构阵列上方的互连结构，所述互连结构包括若干层层叠设置的导电层，其中，所述栅极结构阵列中的每一栅极结构至少通过一层导电层与一层天线结构电连接。

5.如权利要求4所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构还包括：第四测试垫，所述第四测试垫与所述导电层电连接，且不同层的所述导电层与不同的第四测试垫电连接。

6.如权利要求4所述的半导体测试结构，其特征在于，同层的所述导电层包括分立的子导电层，所述互连结构还包括：位于相邻层子导电层之间的导电插塞，所述导电插塞用于实现相邻层子导电层之间的电连接。

7.如权利要求4所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构还包括：若干互连线，其中，所述互连线用于所述导电层与所述天线结构之间的电连接。

8.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述天线结构的形状为矩形。

9.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述天线结构的形状为梳状结构，包括梳柄部以及与所述梳柄部相连的分立的梳齿部。

10.如权利要求8、9或1所述的半导体测试结构，其特征在于，不同层的所述天线结构中，包括通过天线插塞电连接的N层天线结构，且所述电连接的N层天线结构与同一栅极结构电连接，其中，N大于等于2。

11.如权利要求10所述的半导体测试结构，其特征在于，同层的所述天线接结构包括第一梳状结构以及与所述第一梳状结构相对设置的第二梳状结构时，所述天线插塞电连接不同层天线结构的第一梳齿部；或者，所述天线插塞电连接不同层天线结构的第二梳齿部。

12.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述天线结构的材料为多晶硅或金属。