[发明专利]真空蒸镀晶板镀膜装置和真空蒸镀晶板镀膜方法在审
申请号: | 201610296002.9 | 申请日: | 2016-05-08 |
公开(公告)号: | CN105734497A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 陈磊;陈建民;赵丽萍;钱俊有;张文涛;蔡水占;张会超;王东胜 | 申请(专利权)人: | 河南鸿昌电子有限公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 461500 河南省许昌*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 蒸镀晶板 镀膜 装置 方法 | ||
1.真空蒸镀致冷件晶板镀膜装置,其特征是:包括柜体,在柜体上具有传送装置,柜体具有密闭结构和抽真空装置,在传送装置上面安装真空蒸镀装置,所述的传送装置上具有晶板的放置盘。
2.根据权利要求1所述的真空蒸镀致冷件晶板镀膜装置,其特征是:柜体内还设置有除尘装置和静电释放装置。
3.真空蒸镀晶板镀膜方法,将晶板放置在真空蒸镀装置里面下面进行镀膜,镀膜的耗材是镍、钯或银,可以形成一层镀膜的半导体晶板。
4.根据权利要求3所述的真空蒸镀晶板镀膜方法,其特征是:在晶板蒸镀之前用先1-2%的盐酸溶液清洗,直接烘干,再进行真空蒸镀。
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