[发明专利]真空蒸镀晶板镀膜装置和真空蒸镀晶板镀膜方法

说明书

技术领域

本发明涉及致冷件生产技术领域的设备和方法，具体地说是真空蒸镀晶板镀膜装置和真空蒸镀晶板镀膜方法。

背景技术

致冷件包括晶粒和瓷板，所述的晶粒主要成分是三碲化二铋，晶粒是由晶板切割而成的，将晶粒焊接在瓷板上之前需要在晶粒的表面形成一层镀膜——镍、钯或银层，以便晶粒和瓷板很好地结合。

现有技术中，使用的是热喷涂装置将镀膜材料结合在晶板上的，这样的装置具有镀膜材料（镍、钯或银）浪费严重、环保性能差、镍和晶板结合力量差的缺点。

采用热喷涂的装置和方法将镀膜材料（镍、钯或银）热熔化并喷涂到晶板上，也具有镀膜材料浪费严重、环保性能差、镀膜和晶板结合力量差的缺点。

发明内容

本发明的目的就是针对上述缺点，提供一种节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的真空蒸镀晶板镀膜装置，还提供一种节省耗材、减少浪费、环保性好、镍和晶板结合力量好的真空蒸镀晶板镀膜方法。

本发明真空蒸镀致冷件晶板镀膜装置这样实现的：真空蒸镀晶板镀膜装置，其特征是:包括柜体，在柜体上具有传送装置,柜体具有密闭结构和抽真空装置，在传送装置上面安装真空蒸镀装置，所述的传送装置上具有晶板的放置盘。

进一步地讲，柜体内还设置有除尘装置和静电释放装置。

本发明真空蒸镀晶板镀膜方法是这样实现的：离真空蒸镀晶板镀膜方法，将晶板放置在真空蒸镀装置里面下面进行镀膜，镀膜的耗材是镍、钯或银，可以形成一层镀膜的半导体晶板。

较好的技术方案是：在晶板真空蒸镀之前用先1-2%的盐酸溶液清洗，直接烘干，再进行真空蒸镀。

本发明的有益效果是：这样的真空蒸镀晶板镀膜装置可以生产出节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜，还具有保护晶板的优点。

这样的真空蒸镀晶板镀膜方法具有节省耗材、减少浪费、环保性好、镍和晶板结合力量好的优点，在晶板真空蒸镀之前用先1-2%的盐酸溶液清洗，直接烘干，再进行真空蒸镀，具有镀层更牢固的优点，还具有保护晶板的优点。

附图说明

图1是本发明真空蒸镀晶板镀膜装置的结构示意图。

其中：1、柜体2、传送装置3、抽真空装置4、真空蒸镀装置5、放置盘6、除尘装置7、静电释放装置。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。

如图1所示，真空蒸镀晶板镀膜装置，其特征是:包括柜体1，在柜体上具有传送装置2,柜体具有密闭结构和抽真空装置3，在传送装置上面安装真空蒸镀装置4，所述的传送装置上具有晶板的放置盘5。

这样晶板就可以放置在放置盘上进行真空蒸镀，形成镀层，与热喷涂装置相比，产生的镀膜具有节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的优点。

进一步地讲，柜体内还设置有除尘装置6和静电释放装置7。

这样在真空蒸镀之前，可以对晶板进行除尘和对柜体内释放静电，保证镀层效果更好。

实施例1

a、将晶板放置经过热喷涂，喷涂材料用镍，形成第一晶板，其利用率达到10%，散落到周围环境中的镍为90%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力较差。

实施例2

a、将晶板放置经过真空蒸镀，镀材材料用镍，形成第二晶板，其利用率达到40%，散落到周围环境中的镍为60%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的结合力）较好，瓷板无损伤。

实施例3

a、在晶板蒸镀之前用先1%的盐酸溶液清洗，直接烘干，将晶板经过真空蒸镀，镀材材料用镍，形成第三晶板，其利用率达到40%，散落到周围环境中的镍为60%,用这样的晶板制作半导体致冷件，镀膜更牢固，承受能力（即晶粒和瓷板的结合力）较好，破坏镀膜的力量增加20%，瓷板无损伤。

实施例4

a、在晶板蒸镀之前用先2%的盐酸溶液清洗，直接烘干，将晶板经过真空蒸镀，镀材材料用镍，形成第四晶板，其利用率达到40%，散落到周围环境中的镍为60%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的结合力）较好，破坏镀膜的力量增加23%，瓷板无损伤。

实施例5

a、在晶板蒸镀之前用先1.5%的盐酸溶液清洗，直接烘干，将晶板经过真空蒸镀，镀材材料用镍，形成第四晶板，其利用率达到40%，散落到周围环境中的镍为60%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的结合力）最好.破坏镀膜的力量增加25%，瓷板无损伤。