[发明专利]一种SIP模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统

权利要求书

1.一种SIP模组的银胶沟槽的切割方法，其特征在于，包括：

步骤S10获取所述SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据；

所述沟槽切割数据包括：沟槽切割路径和沟槽切割位置；

步骤S20根据所述沟槽切割数据，采用镭射在所述固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，所述沟槽与所述SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分；

步骤S30当填入所述沟槽的银胶固化后，获取预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据；

步骤S40根据所述距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通。

2.一种如权利要求1所述的SIP模组的银胶沟槽的切割方法，其特征在于，所述步骤S30具体包括：

步骤S31采集预留的所述固化部分到所述裸露区域的图片；

步骤S32对所述图片进行处理，计算得到预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据。

3.一种如权利要求1所述的SIP模组的银胶沟槽的切割方法，其特征在于，所述步骤S40具体包括：

步骤S41查询所述距离数据所处的预设距离数据范围；

步骤S42根据所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数，获取所述距离数据对应的所述预设镭射控制参数；

步骤S43根据获取的所述预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通。

4.一种如权利要求3所述的SIP模组的银胶沟槽的切割方法，其特征在于，所述步骤S10之前还包括：

步骤S00配置所述预设距离数据范围、所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数。

5.一种如权利要求1-3任一所述的SIP模组的银胶沟槽的切割方法，其特征在于，所述距离数据包括：

预留的所述固化部分靠近所述裸露区域的端点以及所述裸露区域靠近预留的所述固化部分的端点之间的距离。

6.一种SIP模组的制造方法，其特征在于，包括：

步骤S100在PCB的上表面焊接所述SIP模组所需的芯片、主动元件、被动元件，所述PCB的下表面具有预留的焊点，制成所述SIP模组的PCBA；

其中，所述PCBA的上表面包括：待固化区域和裸露区域；

步骤S200对所述PCBA的上表面中待固化区域进行填胶，使胶覆盖所述PCBA的上表面中待固化区域的芯片、主动元件、被动元件，而后使胶固化制成固化区域，所述固化区域和所述裸露区域组成了所述SIP模组；

步骤S400获取所述SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据；

所述沟槽切割数据包括：沟槽切割路径和沟槽切割位置；

步骤S500根据所述沟槽切割数据，采用镭射在所述固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，所述沟槽与所述SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分；

步骤S600当填入所述沟槽的银胶固化后，获取预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据；

步骤S700根据所述距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通；

步骤S800对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层。

7.一种如权利要求6所述的SIP模组的制造方法，其特征在于：

所述EMI电磁屏蔽层将所述SIP模组打通后的所述固化区域和所述裸露区域连接，并对打通后的所述固化区域和所述裸露区域进行EMI电磁屏蔽。

8.一种如权利要求6所述的SIP模组的制造方法，其特征在于，所述步骤S600具体包括：

步骤S610采集预留的所述固化部分到所述裸露区域的图片；

步骤S620对所述图片进行处理，计算得到预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据。

9.一种如权利要求6所述的SIP模组的制造方法，其特征在于，所述步骤S700具体包括：

步骤S710查询所述距离数据所处的预设距离数据范围；

步骤S720根据所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数，获取所述距离数据对应的所述预设镭射控制参数；

步骤S730根据获取的所述预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通。