[发明专利]一种SIP模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种SIP模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统。

背景技术

随着镭射切割技术的发展与进步，因其精度高、速度快、热影响区小，不易使产品变形、性价比高、使用成本低、性能稳定等优点使镭射切割技术在半导体行业被广泛使用。

在半导体行业中，系统级封装(SIP，System In a Package)主要是将多种功能芯片集成在一个封装内，达到功能整合的目的。不同的芯片排列方式，与不同的内部接合技术搭配，使SIP的封装形态产生多样化的组合。

模组，是指在PCB的上表面焊接模组所需的芯片及主动元件、被动元件，制成模组的PCBA，对PCBA的上表面进行填胶，使胶覆盖PCBA上表面的芯片及主动元件、被动元件，而后使胶固化制成模组。

一颗模组上可能存在固化区域和裸露区域，基于产品的需求，需要将这两个区域打通，区域之间利用银胶连接。现有技术是用镭射切割技术直接把区域边界线位置上的塑封材料切除形成沟槽，再在此沟槽内填入银胶。

但是由于银胶在未固化前是液态，其流动的特性可能会污染其他不能沾染银胶的区域，从而造成产品报废。

发明内容

本发明的目的是提供一种SIP模组的制造方法、银胶沟槽的切割方法及系统，在满足产品需求、打通固化区域和裸露区域的同时，避免未凝固的银胶沾到SIP模组的有效区，提高产品良率。

本发明提供的技术方案如下：

一种SIP模组的银胶沟槽的切割方法，包括：步骤S10获取所述SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据；所述沟槽切割数据包括：沟槽切割路径和沟槽切割位置；步骤S20根据所述沟槽切割数据，采用镭射在所述固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，所述沟槽与所述SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分；步骤S30当填入所述沟槽的银胶固化后，获取预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据；步骤S40根据所述距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通。

进一步优选地，所述步骤S30具体包括：步骤S31采集预留的所述固化部分到所述裸露区域的图片；步骤S32对所述图片进行处理，计算得到预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据。

进一步优选地，所述步骤S40具体包括：步骤S41查询所述距离数据所处的预设距离数据范围；步骤S42根据所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数，获取所述距离数据对应的所述预设镭射控制参数；步骤S43根据获取的所述预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通。

进一步优选地，所述步骤S10之前还包括：步骤S00配置所述预设距离数据范围、所述预设距离数据范围对应的所述预设镭射控制参数。

进一步优选地，所述距离数据包括：预留的所述固化部分靠近所述裸露区域的端点以及所述裸露区域靠近预留的所述固化部分的端点之间的距离。

本发明还提供一种SIP模组的制造方法，包括：步骤S100在PCB的上表面焊接所述SIP模组所需的芯片、主动元件、被动元件，所述PCB的下表面具有预留的焊点，制成所述SIP模组的PCBA；其中，所述PCBA的上表面包括：待固化区域和裸露区域；步骤S200对所述PCBA的上表面中待固化区域进行填胶，使胶覆盖所述PCBA的上表面中待固化区域的芯片、主动元件、被动元件，而后使胶固化制成固化区域，所述固化区域和所述裸露区域组成了所述SIP模组；步骤S400获取所述SIP模组的固化区域中的沟槽切割数据；所述沟槽切割数据包括：沟槽切割路径和沟槽切割位置；步骤S500根据所述沟槽切割数据，采用镭射在所述固化区域进行切割，形成待填充银胶的沟槽，所述沟槽与所述SIP模组的裸露区域之间存在预留的固化部分；步骤S600当填入所述沟槽的银胶固化后，获取预留的所述固化部分到所述裸露区域的距离数据；步骤S700根据所述距离数据对应的预设镭射控制参数，采用镭射切除预留的所述固化部分，将所述固化区域和所述裸露区域打通；步骤S800对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层。

进一步优选地，所述EMI电磁屏蔽层将所述SIP模组打通后的所述固化区域和所述裸露区域连接，并对打通后的所述固化区域和所述裸露区域进行EMI电磁屏蔽。