[发明专利]一种SIP模组的镭射切割方法及系统

权利要求书

1.一种SIP模组的镭射切割方法，其特征在于，包括：

步骤S10获取所述SIP模组的轮廓数据；

其中，所述轮廓数据包括：切割路径和切割位置；

步骤S20根据预设的凹槽切割数据和获取的所述轮廓数据，采用镭射将所述SIP模组轮廓周围一圈的一部分塑封料进行切除，形成散热的凹槽；

步骤S30当所述凹槽形成后，根据获取的所述轮廓数据和预设的轮廓切割数据，采用镭射对所述SIP模组进行切割，直到切下所述SIP模组；

步骤S40根据所述轮廓数据和预设的抛光数据，采用镭射对切下的所述SIP模组进行抛光。

2.一种如权利要求1所述的SIP模组的镭射切割方法，其特征在于，所述凹槽切割数据包括：

凹槽位置偏移数据、凹槽切割次数、凹槽镭射控制参数；

所述步骤S20包括：

步骤S21根据所述轮廓数据和所述凹槽位置偏移数据，计算得到凹槽切割路径和凹槽切割位置；

步骤S22根据所述凹槽切割路径、所述凹槽切割位置、所述凹槽镭射控制参数，采用镭射将所述SIP模组轮廓周围一圈的一部分塑封料进行切除；

步骤S23判断所述步骤S22中采用镭射将所述SIP模组轮廓周围一圈的一部分塑封料进行切除的次数是否达到所述凹槽切割次数，若是，则执行步骤S30，若否，则执行步骤S22。

3.一种如权利要求2所述的SIP模组的镭射切割方法，其特征在于，所述轮廓切割数据包括：

轮廓切割次数、轮廓镭射控制参数；

其中，所述凹槽切割次数小于所述轮廓切割次数；

所述步骤S30包括：

步骤S31根据所述轮廓数据、所述轮廓镭射控制参数，采用镭射对所述SIP模组进行切割；

步骤S32判断所述步骤S31中采用镭射对所述SIP模组进行切割的次数是否达到所述轮廓切割次数，若是，则执行步骤S40，若否，则执行步骤S31。

4.一种如权利要求3所述的SIP模组的镭射切割方法，其特征在于，所述抛光数据包括：

抛光位置偏移数据、抛光次数、抛光镭射控制参数；

所述步骤S40包括：

步骤S41根据所述轮廓数据和所述抛光位置偏移数据，计算得到抛光路径和抛光位置；

步骤S42根据所述抛光路径、所述抛光位置、所述抛光镭射控制参数，采用镭射对切下的所述SIP模组进行抛光；

步骤S43判断所述步骤S42中采用镭射对切下的所述SIP模组进行抛光的次数是否达到所述抛光次数，若否，则执行步骤S42。

5.一种如权利要求4所述的SIP模组的镭射切割方法，其特征在于：

所述抛光镭射控制参数小于所述凹槽镭射控制参数，也小于所述轮廓镭射控制参数。

6.一种如权利要求1所述SIP模组的镭射切割方法，其特征在于，所述步骤S10包括：

步骤S11采集所述SIP模组的图像；

步骤S12对所述图像进行处理，得到所述SIP模组的所述轮廓数据。

7.一种SIP模组的镭射切割系统，其特征在于，包括：

控制模块；

获取模块，与所述控制模块电连接，在所述控制模块的控制下，获取所述SIP模组的轮廓数据；

其中，所述轮廓数据包括：切割路径和切割位置；

存储模块，与所述控制模块电连接，在所述控制模块的控制下，存储预设的凹槽切割数据、预设的轮廓切割数据；

镭射模块，与所述控制模块电连接，在所述控制模块的控制下，根据预设的所述凹槽切割数据和获取的所述轮廓数据，采用镭射将所述SIP模组轮廓周围一圈的一部分塑封料进行切除，形成散热的凹槽；以及，当所述凹槽形成后，在所述控制模块的控制下，根据获取的所述轮廓数据和预设的所述轮廓切割数据，采用镭射对所述SIP模组进行切割，直到切下所述SIP模组。