[发明专利]一种SIP模组的镭射切割方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及镭射切割领域，尤其涉及一种SIP模组的镭射切割方法及系统。

背景技术

半导体封装产品的传统切割技术中，主要还是刀片切割技术，但刀片切割技术存在着一定问题，例如：只能切割直线，无法切割外形有弧度的产品；切割过程需要冷却循环水冲击排屑，冲击力容易影响产品质量；刀片运动速度有限，切割速度慢；刀片耗材需要定期保养与更换，成本高；噪音大，危害操作人员身心健康等。因此，镭射切割被应用到半导体封装领域中。

在半导体领域中，系统级封装(SIP，System In a Package)是现在封装产品的趋势，印刷电路板(PCB，Printed Circuit Board)经过表面贴装技术(SMT，Surface Mount Technology)上件后，制成PCBA(Printed Circuit Board Assembly)，再对PCBA的上表面填充塑封料形成模封层(Molding)，固化后形成SIP模组。随着半导体的发展，产品越来越向精、小、细、薄等方向变化，镭射切割技术的引入，满足了不断这些需求。

镭射切割是利用经聚焦的高功率密度镭射光束照射产品，使被照射的材料迅速熔化、汽化、烧蚀或达到燃点，同时借助与光束同轴的高速气流吹除熔融物质，从而实现将产品割开。

在现有技术中，对封装产品采用镭射切割时，容易出现铜粉喷溅、产品碳化的问题，这种问题使SIP模组在后续制程中进行溅镀后的镀层较容易脱落，使屏蔽效果失效，降低了制程良率。

发明内容

本发明的目的是提供一种SIP模组的镭射切割方法及系统，增加SIP模组在后续制程中溅镀后镀层的附着能力，避免后续的屏蔽效果失效，提高制程良率。

本发明提供的技术方案如下：

一种SIP模组的镭射切割方法，包括：步骤S10获取所述SIP模组的轮廓数据；其中，所述轮廓数据包括：切割路径和切割位置；步骤S20根据预设的凹槽切割数据和获取的所述轮廓数据，采用镭射将所述SIP模组轮廓周围一圈的一部分塑封料进行切除，形成散热的凹槽；步骤S30当所述凹槽形成后，根据获取的所述轮廓数据和预设的轮廓切割数据，采用镭射对所述SIP模组进行切割，直到切下所述SIP模组。

进一步优选地，所述凹槽切割数据包括：凹槽位置偏移数据、凹槽切割次数、凹槽镭射控制参数；所述步骤S20包括：步骤S21根据所述轮廓数据和所述凹槽位置偏移数据，计算得到凹槽切割路径和凹槽切割位置；步骤S22根据所述凹槽切割路径、所述凹槽切割位置、所述凹槽镭射控制参数，采用镭射将所述SIP模组轮廓周围一圈的一部分塑封料进行切除；步骤S23判断所述步骤S22中采用镭射将所述SIP模组轮廓周围一圈的一部分塑封料进行切除的次数是否达到所述凹槽切割次数，若是，则执行步骤S30，若否，则执行步骤S22。

进一步优选地，所述轮廓切割数据包括：轮廓切割次数、轮廓镭射控制参数；其中，所述凹槽切割次数小于所述轮廓切割次数；所述步骤S30包括：步骤S31根据所述轮廓数据、所述轮廓镭射控制参数，采用镭射对所述SIP模组进行切割；步骤S32判断所述步骤S31中采用镭射对所述SIP模组进行切割的次数是否达到所述轮廓切割次数，若是，则执行步骤S40，若否，则执行步骤S31。

进一步优选地，所述步骤S30之后还包括：步骤S40根据所述轮廓数据和预设的抛光数据，采用镭射对切下的所述SIP模组进行抛光。

进一步优选地，所述抛光数据包括：抛光位置偏移数据、抛光次数、抛光镭射控制参数；所述步骤S40包括：步骤S41根据所述轮廓数据和所述抛光位置偏移数据，计算得到抛光路径和抛光位置；步骤S42根据所述抛光路径、所述抛光位置、所述抛光镭射控制参数，采用镭射对切下的所述SIP模组进行抛光；步骤S43判断所述步骤S42中采用镭射对切下的所述SIP模组进行抛光的次数是否达到所述抛光次数，若否，则执行步骤S42。

进一步优选地，所述抛光镭射控制参数小于所述凹槽镭射控制参数，也小于所述轮廓镭射控制参数。

进一步优选地，所述步骤S10包括：步骤S11采集所述SIP模组的图像；步骤S12对所述图像进行处理，得到所述SIP模组的所述轮廓数据。