[发明专利]一种电容器素子的含浸方法

权利要求书

1.一种电容器素子的含浸方法，其特征在于：包括以下步骤，1)将导电聚合物单体放置在真空炉内，并将素子放置在导电聚合物单体的上方，其中，所述导电聚合物单体包括EDOT及其衍生物；

2)密封真空炉，并将真空炉的真空度抽到0.1～1×10^-4Pa，利用所述导电聚合物单体的强挥发性，在真空环境下，使得所述导电聚合物单体以气相形式充斥在真空炉内；

3)将真空炉内的温度升高到50～100℃，保持1～30min；

然后将真空炉内的温度逐渐降低到室温～50℃并且保持1～30min，使得所述导电聚合物单体的单体分子冷凝在所述素子内，使单体分子浸入铝箔空隙内，其中，所述步骤3)重复1-3次；

4)将含浸有导电聚合物单体的素子从真空炉中取出，并且在含浸氧化剂后进行聚合生成PEDOT。

2.根据权利要求1所述的电容器素子的含浸方法，其特征在于：所述氧化剂包括芳香族类磺酸铁。