[发明专利]一种电容器素子的含浸方法

说明书

一种电容器素子的含浸方法，包括以下步骤，1）将导电聚合物单体放置在真空炉内，并将素子放置在导电聚合物单体的上方；2）密封真空炉，并将真空炉抽真空；3）将真空炉内的温度升高到50～100℃，保持1～30min；然后将真空炉内的温度逐渐降低到室温～50℃并且保持1～30min；4）将含浸有导电聚合物单体的素子从真空炉中取出，并且在含浸氧化剂后进行聚合生成PEDOT。本发明的电容器素子的含浸方法利用导电聚合物单体的强挥发性，在真空环境下，使得导电聚合物单体能够以气相形式充斥在整个炉室内，在相对较高温度下进行气相含浸一段时间后，再降低温度使得单体分子冷凝在素子内，使单体分子能够更好浸入铝箔空隙内。

技术领域

本发明涉及一种电容器，尤其涉及一种电容器素子的含浸方法。

背景技术

固态电容中的电解质是通过以下工序进入电容素子内，首先含浸单体溶液使单体进入电容素子内，然后再含浸氧化剂溶液使氧化剂进入素子内部，最后通过聚合工艺使固态电解质在电容素子内部生成，即图中氧化铝、阴极箔之间的空间(包括多孔电解纸内部)填充的均为由单体和氧化剂反应生成的固态电解质PEDOT。

因为纯单体(液态)粘度大、挥发性强，故在含浸单体时采用甲醇或乙醇稀释后的单体溶液进行含浸，保证含浸效率的同时减少单体的挥发损失。而采用单体溶液进行含浸后，素子内部的部分位置会被溶剂占据，而进入素子的溶剂需要经干燥后去除，这会使得素子内部局部位置不能有效被单体覆盖，影响容量引出率；另外溶剂干燥去除后是不能回收利用的，造成资源浪费。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种含浸效率高、容量引出率好并且节省资源的电容器素子的含浸方法。

为解决上述技术问题，本发明提出的技术方案为：一种电容器素子的含浸方法，包括以下步骤，1)将导电聚合物单体放置在真空炉内，并将素子放置在导电聚合物单体的上方；

2)密封真空炉，并将真空炉的真空度抽到0.1～1×10^-4Pa；

3)将真空炉内的温度升高到50～100℃，保持1～30min；然后将真空炉内的温度逐渐降低到室温～50℃并且保持1～30min；

4)将含浸有导电聚合物单体的素子从真空炉中取出，并且在含浸氧化剂后进行聚合生成PEDOT。

上述的电容器素子的含浸方法，优选的，所述导电聚合物单体包括EDOT及其衍生物。

上述的电容器素子的含浸方法，优选的，所述步骤3)重复1-3次。

上述的电容器素子的含浸方法，优选的，所述氧化剂包括芳香族类磺酸铁。

与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明的电容器素子的含浸方法利用导电聚合物单体的强挥发性，在真空环境下，使得导电聚合物单体能够以气相形式充斥在整个炉室内，在相对较高温度下进行气相含浸一段时间后，再降低温度使得单体分子冷凝在素子内，使单体分子能够更好浸入铝箔空隙内；使得本发明的电容器素子的容量引出率高，并且效率也高，同时可以减少导电聚合物单体的用量而节省资源。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明中电容器素子含浸的示意图。

图例说明

1、素子；2、真空炉；3、导电聚合物单体。

具体实施方式