[发明专利]水下空间三维光谱成像仪及成像方法有效

专利信息
申请号: 201610310421.3 申请日: 2016-05-11
公开(公告)号: CN105841813B 公开(公告)日: 2017-12-26
发明(设计)人: 宋宏;郭乙陆;魏贺;刘洪波;杨萍;方美芬;冷建兴 申请(专利权)人: 浙江大学;杭州电子科技大学;杭州蓝科光电科技有限公司
主分类号: G01J3/28 分类号: G01J3/28
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司33200 代理人: 邱启旺
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 水下 空间 三维 光谱 成像 方法
【权利要求书】:

1.一种水下空间三维光谱成像仪,其特征在于,包括前端永磁铁(1)、底座(2)、密封舱(3)、成像光谱仪镜头(4)、成像光谱仪(5)、后端永磁铁(6)、电磁铁(7)、支架(8)、水体衰减系数测量仪(10)、控制单元(11);其中,所述底座(2)上开有滑槽,所述滑槽的前端安装有前端永磁铁(1),所述滑槽的后端安装有后端永磁铁(6);所述前端永磁铁(1)和后端永磁铁(6)的磁极相反;所述支架(8)安装在底座(2)的滑槽上,沿滑槽滑动;所述支架(8)内装有电磁铁(7);所述密封舱(3)安装于支架(8)上方,所述密封舱(3)上开有用于安装玻璃的玻璃窗口;所述成像光谱仪(5)和控制单元(11)均安装在密封舱(3)内;所述水体衰减系数测量仪(10)固定于密封舱(3)外侧,用于测量水体的衰减系数;所述成像光谱仪镜头(4)安装在成像光谱仪(5)上,所述成像光谱仪镜头(4)透过玻璃窗口采集水下光谱图像;所述成像光谱仪(5)、电磁铁(7)和水体衰减系数测量仪(10)均与控制单元(11)相连。

2.根据权利要求1所述的水下空间三维光谱成像仪,其特征在于,还包括数据输出接口(9);所述数据输出接口(9)安装在密封舱(3)壳体上,数据输出接口(9)与控制单元(11)相连。

3.根据权利要求2所述的水下空间三维光谱成像仪,其特征在于,所述控制单元(11)包括电源、控制模块、数据处理模块和数据存储模块;所述电源为水下空间三维光谱成像仪提供工作电压;所述成像光谱仪(5)、水体衰减系数测量仪(10)、控制模块和数据存储模块均与数据处理模块相连;所述数据存储模块与数据输出接口(9)相连。

4.一种利用权利要求3所述的水下空间三维光谱成像仪的成像方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)水体衰减系数测量仪(10)测量水体的光谱衰减系数α(λk)(k∈(1,n)),λk为k波段的中心波长,k为正整数,n为波段数;

(2)控制模块控制电源中电流的方向使电磁铁(7)的磁极朝向与前端永磁铁(1)相反,则成像光谱仪(5)移动到底座(2)的前端,拍摄滑槽靠前位置时的光谱图像;改变电磁铁(7)中电流流向,则成像光谱仪(5)移动到底座(2)的后端,拍摄滑槽靠后位置时的光谱图像;

(3)使用SIFT算法对步骤(2)所采集的两组光谱图像作位置匹配;

(4)根据步骤(1)所得的光谱衰减系数和步骤(3)所得的位置匹配后的光谱图像,计算每个像素点对应位置与成像光谱仪(5)之间的距离;记某一点(x,y)在底座前端的光谱响应为If(x,y,λk)(k∈(1,n)),后端的光谱响应为Ib(x,y,λk)(k∈(1,n)),计算点(x,y)与成像光谱仪(5)之间的距离D(x,y),获得空间三维信息;计算公式如下:

D(x,y)=-(α(λ1)α(λ2)...α(λn)Tα(λ1)α(λ2)...α(λn))-1(α(λ1)α(λ2)...α(λn)TlnIb(x,y,λ1)If(x,y,λ1)exp(-α(λ1)L0)lnIb(x,y,λ2)If(x,y,λ2)exp(-α(λ2)L0)...lnIb(x,y,λn)If(x,y,λn)exp(-α(λn)L0))]]>

其中,λ1,λ2,…,λn为波长,L0为前后两个成像位置之间的距离;

(5)根据步骤4计算所得的距离D(x,y),补偿水体对光谱的衰减,获得水下物体的真实光谱,计算公式如下:

Ic(x,y,λ1)=If(x,y,λ1)exp(-α(λ1)D(x,y))Ic(x,y,λ2)=If(x,y,λ2)exp(-α(λ2)D(x,y))...Ic(x,y,λn)=If(x,y,λn)exp(-α(λn)D(x,y))]]>

其中,Ic(x,y,λk)(k∈(1,n))为点(x,y)在λk波段经补偿后的光谱强度;

(6)将步骤4得到的空间三维信息与步骤5得到的真实光谱信息进行匹配,获取三维空间光谱信息Ic(x,y,D,λn)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学;杭州电子科技大学;杭州蓝科光电科技有限公司,未经浙江大学;杭州电子科技大学;杭州蓝科光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610310421.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top