[发明专利]一种元件的可编程阵列的系统级封装方法及其封装结构在审
申请号: | 201610312644.3 | 申请日: | 2016-05-13 |
公开(公告)号: | CN107369628A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 萧建成 | 申请(专利权)人: | 北京中电网信息技术有限公司;中电网(北京)电子科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/485;H01L23/64 |
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地址: | 100080 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 元件 可编程 阵列 系统 封装 方法 及其 结构 | ||
1.一种元件的可编程阵列的系统级封装方法,其特征在于,所述系统级封装方法包括:
将若干个可编程阵列分别设置为独立组件,并通过低温装配工艺制造所述独立组件的裸片;
将所述裸片依据预设的制程,进行系统级封装;
所述可编程阵列包括电阻阵列;所述电阻阵列与一差分放大器连接,提供若干压降选项。
2.根据权利要求1所述的系统级封装方法,其特征在于,所述低温装配工艺包括:
沉置抗光材料于基板顶部,将电阻布局图案印刷至所述抗光材料上;
曝光并去除非曝光部分,形成对应的电阻布局图案;
沉置电阻材料于所述电阻布局图案上;所述抗光材料于电阻材料之间形成预定空隙;
通过化学蚀刻方法,去除抗光材料及附着于其上的电阻材料,在基板顶部形成所述电阻阵列。
3.根据权利要求2所述的系统级封装方法,其特征在于,所述电阻材料为大于10KΩ/m2的电阻材料。
4.根据权利要求1所述的系统级封装方法,其特征在于,所述可编程阵列还包括电感器或天线阵列;
所述电感器或天线阵列为独立的阵列裸片。
5.根据权利要求4所述的系统级封装方法,其特征在于,所述低温装配方法包括:
将聚酰亚胺沉置于基板的金属层顶部,通过掩膜形成预定的第一连接端和第一通孔;
沉置金属,填充所述第一通孔并与所述金属层良好接触;
通过化学蚀刻,去除多余的沉积金属及聚酰亚胺,形成预定的第二金属层;
在所述第二金属层上沉置聚酰亚胺,并形成预定的第二通孔;
使用RDL和化学蚀刻形成另一层金属布线层,作为第二连接端。
6.一种系统级封装结构,其特征在于,所述系统级封装结构包括如权利要求1所述的独立组件的裸片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造