[发明专利]半导体存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置的操作方法，该半导体存储装置包括多个存储单元，所述多个存储单元各自具有n个程序状态中的一个作为目标程序状态，其中，所述操作方法包括多个程序循环，所述操作方法包括以下步骤：

在所述多个程序循环中的第m个程序循环中，

将第一组存储单元设置为程序允许模式，所述第一组存储单元将第一组程序状态作为所述目标程序状态；

将第二组存储单元设置为程序禁止模式，所述第二组存储单元将第二组程序状态作为所述目标程序状态；以及

按照所述程序状态的级别的升序对n个程序状态中的第i程序状态执行程序操作和程序验证操作，并且

在第（m+1）个程序循环中，在对所述第i程序状态执行的所述程序验证操作成功后，

将所述第一组存储单元中的具有所述第i程序状态的一个或更多个存储单元从所述程序允许模式设置为所述程序禁止模式；以及

将所述第二组存储单元中的具有第（i+k）程序状态的一个或更多个存储单元从所述程序禁止模式设置为所述程序允许模式，

其中，所述k是大于或等于2的整数，并且所述第一组程序状态包括k个程序状态。

2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，执行所述程序操作的步骤包括：

向所述第一组存储单元提供程序允许电压；以及

向所述第二组存储单元提供程序禁止电压。

3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述设置的步骤包括：

当具有所述第i程序状态的所述存储单元的阈值电压达到所述第i程序状态时，确定对所述第i程序状态的所述程序验证操作成功。

4.一种半导体存储装置的操作方法，该半导体存储装置包括多个存储单元，所述多个存储单元各自具有n个程序状态中的一个作为目标程序状态，所述操作方法包括以下步骤：

根据第一程序模式设置、第二程序模式设置以及第三程序模式设置中的一个来执行对所述存储单元的程序操作，直至满足第一条件；

根据所述第一程序模式设置、所述第二程序模式设置以及所述第三程序模式设置中的另一个来执行对所述存储单元的程序操作，直至满足第二条件；以及

根据所述第一程序模式设置、所述第二程序模式设置以及所述第三程序模式设置中的剩余一个来执行对所述存储单元的程序操作，

其中，所述第一程序模式设置将具有第一程序状态至第三程序状态的目标程序状态的所述存储单元限定为程序允许模式，并且将具有第四程序状态至第七程序状态的目标程序状态的所述存储单元限定为程序禁止模式，

其中，所述第二程序模式设置将具有第一程序状态、第二程序状态、第六程序状态和第七程序状态的目标程序状态的所述存储单元限定为所述程序禁止模式，并且将具有第三程序状态至第五程序状态的目标程序状态的所述存储单元限定为所述程序允许模式，

其中，所述第三程序模式设置将具有第一程序状态至第四程序状态的目标程序状态的所述存储单元限定为所述程序禁止模式，并且将具有第五程序状态至第七程序状态的目标程序状态的所述存储单元限定为所述程序允许模式，

其中，所述第一条件是施加的程序脉冲的数量达到第一基准数量，并且

其中，所述第二条件是施加的程序脉冲的数量达到第二基准数量。

5.根据权利要求4所述的操作方法，其中，执行所述程序操作的步骤包括：

向所述程序允许模式的所述存储单元提供程序允许电压；以及

向程序禁止模式的所述存储单元提供程序禁止电压。