[发明专利]半导体存储装置及其操作方法

说明书

提供了一种半导体存储装置及其操作方法，该半导体存储装置包括各自具有n个程序状态中的一个作为目标程序状态的多个存储单元，该操作方法包括：将具有第一组程序状态作为目标程序状态的第一组存储单元设置为程序允许模式；将具有第二组程序状态作为目标程序状态的第二组存储单元设置为程序禁止模式；按照程序状态的级别的升序对n个程序状态中的第i执行程序操作和程序验证操作；以及在对第i程序状态的程序验证操作成功后，将具有第i程序状态的第一组存储单元中的一个或更多个存储单元从程序允许模式改变为程序禁止模式，且将具有第(i+k)程序状态的第二组存储单元中的一个或更多个存储单元从程序禁止模式改变为程序允许模式。

技术领域

本公开的一方面涉及一种电子设备，且更具体地，涉及一种半导体存储装置及其操作方法。

背景技术

半导体存储装置是通过使用半导体(例如，硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等)来实现的存储装置。在半导体存储装置中包括易失性存储装置和非易失性存储装置。

易失性存储装置是一种当供电受阻时消除存储的数据的存储装置。静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)被包括在易失性存储装置中。非易失性存储装置是一种当供电受阻时保持所存储的数据的存储装置。只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除且可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)被包括在非易失性存储装置中。闪存宽泛地分类为NOR类型和NAND类型。

发明内容

本发明的实施方式提供了一种表现出改进的可靠性的半导体存储装置及其操作方法。

根据本公开的一方面，提供了一种半导体存储装置的操作方法，该半导体存储装置包括多个存储单元，所述多个存储单元各自具有n个程序状态中的一个作为目标程序状态，所述操作方法包括以下步骤：将第一组存储单元设置为程序允许模式，所述第一组存储单元具有第一组程序状态作为所述目标程序状态；将第二组存储单元设置为程序禁止模式，所述第二组存储单元具有第二组程序状态作为所述目标程序状态；按照所述程序状态的级别的升序对n个程序状态中的第i程序状态执行程序操作和程序验证操作；以及在对所述第i程序状态执行的所述程序验证操作成功后，将具有所述第i程序状态的所述第一组存储单元中的一个或更多个存储单元从所述程序允许模式改变为所述程序禁止模式，并且将具有第(i+k)程序状态的所述第二组存储单元中的一个或更多个存储单元从所述程序禁止模式改变为所述程序允许模式。

根据本公开的一方面，提供了一种半导体存储装置的操作方法，该半导体存储装置包括多个存储单元，所述多个存储单元各自具有n个程序状态中的一个作为目标程序状态，所述操作方法包括以下步骤：根据第一程序模式设置、第二程序模式设置以及第三程序模式设置中的一个来执行对所述存储单元的程序操作，直至满足第一条件；根据第一程序模式设置、第二程序模式设置以及第三程序模式设置中的另一个来执行对所述存储单元的程序操作，直至满足第二条件；以及根据第一程序模式设置、第二程序模式设置以及第三程序模式设置中的剩余一个来执行对所述存储单元的程序操作。

根据本公开的一方面，提供了一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：多个存储单元，所述多个存储单元各自具有n个程序状态中的一个作为目标程序状态；以及外围电路，所述外围电路被配置为执行以下操作：将第一组存储单元设置为程序允许模式，所述第一组存储单元具有第一组程序状态作为所述目标程序状态；将第二组存储单元设置为程序禁止模式，所述第二组存储单元具有第二组程序状态作为所述目标程序状态；按照所述程序状态的级别的升序对n个程序状态中的第i执行程序操作和程序验证操作；以及在对第i程序状态的所述程序验证操作成功后，将具有所述第i程序状态的所述第一组存储单元中的一个或更多个存储单元从所述程序允许模式改变为所述程序禁止模式，并且将具有第(i+k)程序状态的所述第二组存储单元中的一个或更多个存储单元从所述程序禁止模式改变为所述程序允许模式。