[发明专利]基板结构

说明书

技术领域

本发明有关一种基板结构，尤指一种能提高信赖性及产品良率的基板结构。

背景技术

目前应用于芯片封装领域的技术繁多，例如芯片尺寸构装(Chip Scale Package，简称CSP)、芯片直接贴附封装(Direct Chip Attached，简称DCA)或多芯片模组封装(Multi-Chip Module，简称MCM)等覆晶型态的封装模组、或将芯片立体堆迭化整合为三维积体电路(3D IC)芯片堆迭技术等。

图1为悉知3D IC芯片堆迭的半导体封装件1的剖面示意图。如图所示，该半导体封装件1具有一硅中介板(Through Silicon interposer，简称TSI)10，该硅中介板10具有具有相对的置晶侧10b与转接侧10a、及连通该置晶侧10b与转接侧10a的多个导电硅穿孔(Through-silicon via，简称TSV)100，且该置晶侧10b上具有一电性连接该些导电硅穿孔100的线路重布结构(Redistribution layer，简称RDL)11，以供间距较小的半导体芯片6的电极垫60通过多个焊锡凸块61电性结合至该线路重布结构11上，再以底胶62包覆该些焊锡凸块61，且于各该导电硅穿孔100上通过多个如焊料凸块的导电元件17电性结合间距较大的封装基板7的焊垫70，之后形成封装胶体8于该封装基板7上，以包覆该半导体芯片6。

具体地，如图1’及图1”所示，该硅中介板10的转接侧10a形成有一绝缘层12，且该绝缘层12具有开孔120以外露该导电硅穿孔100端面，且于该绝缘层12的局部表面上(约该绝缘层12的开孔120周围)形成有一绝缘保护层15，以通过该绝缘保护层15的开口150外露该导电硅穿孔100端面，再形成一凸块底下金属层(Under Bump Metallurgy，简称UBM)16于该开孔120与开口150中的导电硅穿孔100端面，以结合该导电元件17于该凸块底下金属层16上。

然而，前述悉知半导体封装件1中，当经过高温作业时(例如，该导电元件17经回焊后焊接至该焊垫70上)，此时因热所产生的残留应力会集中在该些导电元件17与该些导电硅穿孔100间的交界面，如图1’所示的应力集中处k，使得该绝缘保护层15与该凸块底下金属层16(或该绝缘层12与该些导电硅穿孔100)之间会出现分离(peeling)或破裂(crack)的情形，因而降低该半导体封装件1的信赖性及产品的良率。

此外，相同问题也可能发生于该半导体芯片6与该线路重布结构11之间的焊锡凸块61上，致使该焊锡凸块61与该线路重布结构11之间会出现分离或破裂的情形，如图1所示的应力集中处k’。

因此，如何克服上述悉知技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的问题。

发明内容

鉴于上述悉知技术的种种缺失，本发明提供一种基板结构，以于经过高温作业时，避免出现分离或破裂的情形。

本发明的基板结构包括：基板本体，其具有至少一电性接点；绝缘层，其形成于该基板本体上并外露该电性接点；以及绝缘保护层，其形成于该绝缘层的部分表面上，且该绝缘保护层具有对应于单一该电性接点的多个开口，其中，至少一该开口位于该电性接点的外围。

前述的基板结构中，该电性接点为导电柱或电性接触垫。

前述的基板结构中，该基板本体上形成有线路层，使该绝缘层形成于该线路层上，且该电性接点为该线路层的一部分。

前述的基板结构中，该开口的上视平面形状为封闭曲线或多边形。

前述的基板结构中，还包括形成于至少一该开口中的金属层。例如，该金属层接触该电性接点。

前述的基板结构中，还包括形成于该绝缘保护层上的导电元件。

前述的基板结构中，至少一该开口外露出该绝缘层。

由上可知，本发明的基板结构，主要通过该绝缘保护层具有位于该电性接点外围的开口，以于经过如回焊制造方法等高温作业时，该绝缘保护层可分散因热所产生的残留应力，故相比于悉知技术，本发明的基板结构能避免该绝缘保护层与该金属层、或该绝缘层与该电性接点之间出现分离或破裂的情形，进而提高该基板结构的信赖性及产品的良率。

附图说明

图1为悉知半导体封装件的剖面示意图；

图1’为图1的局部放大图；

图1”为图1”的局部上视平面图；

图2A为本发明的基板结构的剖视示意图；

图2B为图2A的其它实施例的剖视示意图；

图3为本发明的基板结构的另一实施例的剖视示意图；以及