[发明专利]一种低介电常数材料之TEM样品的制备方法在审
| 申请号： | 201610327894.4 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105784744A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈胜;陈强;史燕萍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22;G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 材料 tem 样品 制备 方法 | ||
1.一种低介电常数材料之TEM样品的制备方法，其特征在于，所述低介 电常数材料之TEM样品的制备方法，包括：
执行步骤S1：提供具有表层低介电常数材料之待分析芯片样品，并将所 述待分析芯片样品之表层低介电常数材料的一侧与承载硅片粘贴；
执行步骤S2：对所述待分析芯片样品之异于所述承载硅片一侧的硅基衬 底进行研磨，对研磨程度的控制通过硅基衬底之边缘处所露出的器件层图形 进行判断；
执行步骤S3：进一步研磨，以使得研磨面平整；
执行步骤S4：通过聚焦离子束制样工具在可制样区域制备低介电常数材 料之TEM样品，且从硅基衬底一侧向表层低介电常数材料一侧进行切割。
2.如权利要求1所述的低介电常数材料之TEM样品的制备方法，其特征 在于，所述低介电常数材料之介电常数k＜3.1。
3.如权利要求1所述的低介电常数材料之TEM样品的制备方法，其特征 在于，所述硅基衬底之边缘处的研磨速度大于所述硅基衬底之中心处的研磨 速度。
4.如权利要求3所述的低介电常数材料之TEM样品的制备方法，其特征 在于，对于非定点分析要求只需边缘处露出器件层图形即可。
5.如权利要求1所述的低介电常数材料之TEM样品的制备方法，其特征 在于，所述待分析芯片样品之表层低介电常数材料的一侧通过AB胶与承载硅 片粘贴。
6.如权利要求1所述的低介电常数材料之TEM样品的制备方法，其特征 在于，通过采用0.5μm细砂纸研磨，以保证研磨面平整。
7.如权利要求1所述的低介电常数材料之TEM样品的制备方法，其特征 在于，所述低介电常数材料之TEM样品的制备方法应用于55nm以下高阶工 艺制程。
8.如权利要求1所述的低介电常数材料之TEM样品的制备方法，其特征 在于，所述低介电常数材料之TEM样品的厚度为50～200nm。
9.如权利要求1所述的低介电常数材料之TEM样品的制备方法，其特征 在于，所述低介电常数材料之TEM样品用于观测表层低介电常数材料的结构 形貌和层次性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610327894.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钢筋与混凝土粘结损伤测试方法
- 下一篇：一种现场X射线管道滚动拍片装置
