[发明专利]光刻掩膜板及其制作方法、光刻方法

权利要求书

1.一种光刻掩膜板，其特征在于，包括衬底基板和布置在所述衬底基板的表面上的掩膜图案，以及布置在所述表面上的导电连接图案，其中，

所述导电连接图案用于将所述掩膜图案的分离部分电气连接在一起，

所述导电连接图案包括沿第一方向连续延伸的多条第一导电连接线，以及沿第二方向连续延伸的多条第二导电连接线，所述第一方向与所述第二方向正交，

直接相邻的两条第一导电连接线之间的距离小于所述掩膜图案的分离部分在所述第二方向上的最小间距，

直接相邻的两条第二导电连接线之间的距离小于所述掩膜图案的分离部分在所述第一方向上的最小间距，

所述掩膜图案的分离部分包括沿所述第一方向延伸的第一分离部分和沿所述第二方向延伸并且与所述第一分离部分分离的第二分离部分，

至少一条第一导电连接线与所述第一分离部分在所述衬底基板上的正投影重叠，并且

至少一条第二导电连接线与所述第二分离部分在所述衬底基板上的正投影重叠。

2.根据权利要求1所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述导电连接图案还包括与所述掩膜图案电气连接的透明导电层。

3.根据权利要求2所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述透明导电层覆盖所述掩膜图案。

4.根据权利要求2所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述透明导电层夹在所述掩膜图案与所述衬底基板之间。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述透明导电层由导电氧化物制成。

6.根据权利要求5所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述导电氧化物包括铟锡氧化物、铝掺杂的氧化锌、铟掺杂的氧化锌或铟掺杂的氧化镉中的一个或多个。

7.根据权利要求1所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述导电连接图案与所述掩膜图案同层同材料形成。

8.根据权利要求1所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述导电连接线的最大线宽小于与所述光刻掩膜板配合使用的光刻机的分辨率。

9.根据权利要求8所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述导电连接线的最大线宽小于0.5μm。

10.根据权利要求7所述的光刻掩膜板，其特征在于，所述导电连接图案和所述掩膜图案由铬制成。

11.一种光刻方法，其特征在于，使用根据权利要求1至10中任一项所述的光刻掩膜板。

12.一种光刻掩膜板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板的表面上制作掩膜图案；

在所述表面上制作导电连接图案，

其中，

所述导电连接图案用于将所述掩膜图案的分离部分电气连接在一起，

所述导电连接图案包括沿第一方向连续延伸的多条第一导电连接线，以及沿第二方向连续延伸的多条第二导电连接线，所述第一方向与所述第二方向正交，

直接相邻的两条第一导电连接线之间的距离小于所述掩膜图案的分离部分在所述第二方向上的最小间距，

直接相邻的两条第二导电连接线之间的距离小于所述掩膜图案的分离部分在所述第一方向上的最小间距，

所述掩膜图案的分离部分包括沿所述第一方向延伸的第一分离部分和沿所述第二方向延伸并且与所述第一分离部分分离的第二分离部分，

至少一条第一导电连接线与所述第一分离部分在所述衬底基板上的正投影重叠，并且

至少一条第二导电连接线与所述第二分离部分在所述衬底基板上的正投影重叠。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在所述表面上制作导电连接图案，还包括在所述表面上制作与掩膜图案电气连接的透明导电层。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在一个图案化工艺过程中同时制作所述导电连接图案和所述掩膜图案。