[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，包含：

基板结构，包括：

基板，具有一像素，且该像素具有开口区；

金属氧化物晶体管，设置在该基板上且包括；

金属氧化物半导体层，具有第一通道区；

第一栅极，对应该第一通道区；以及

氧化硅绝缘层，位于该金属氧化物半导体层上，其中该氧化硅绝缘层具有一开口，且该开口对应该开口区设置；以及

多晶硅晶体管，设置在该基板上；

氮化硅绝缘层，位于该金属氧化物晶体管与该多晶硅晶体管上，其中在该开口区中该氮化硅绝缘层直接接触该基板；

对向基板结构；以及

显示介质，位于该基板结构与该对向基板结构之间。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中该多晶硅晶体管位于该基板结构的一驱动电路中，该金属氧化物晶体管位于该像素中，且该多晶硅晶体管驱动该金属氧化物晶体管。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中该多晶硅晶体管包括：

多晶硅半导体层，具有第二通道区；以及

第二栅极，对应该第二通道区；

其中该多晶硅半导体层位于该基板与该第二栅极之间，且该金属氧化物半导体层位于该基板与该第一栅极上。

4.如权利要求3所述的显示装置，其中该基板结构还包括遮光层，设置于该多晶硅半导体层与该基板之间。

5.如权利要求4所述的显示装置，其中该第一栅极位于该金属氧化物半导体层与该基板之间，且该第一栅极与该遮光层同层。

6.如权利要求3所述的显示装置，其中该多晶硅晶体管包括非晶硅层，位于该多晶硅半导体层上。

7.如权利要求1所述的显示装置，其中该基板结构还包括有机绝缘层，位于该金属氧化物晶体管与该多晶硅晶体管上，且在该开口区中该有机绝缘层直接接触该基板。

8.如权利要求1所述的显示装置，其中该氧化硅绝缘层的边缘对准该第一栅极的边缘，或对准一第一源极与一第一漏极的边缘，其中该第一源极与该第一漏极位于该第一通道区两侧。

9.如权利要求1所述的显示装置，其中该多晶硅晶体管的一第二栅极位于该多晶硅晶体管的一多晶硅半导体层与该基板之间，且该金属氧化物晶体管的该第一栅极位于该金属氧化物半导体层与该基板之间。

10.如权利要求1所述的显示装置，其中该金属氧化物晶体管包含栅极绝缘层，位于该金属氧化物半导体层与该第一栅极之间，该栅极绝缘层包括第一氧化硅层，且该第一氧化硅层具有开口，对应该开口区。

11.一种显示装置，包含：

基板结构，包括：

基板，具有一像素，且该像素具有开口区；

金属氧化物晶体管，设置在该基板上且包括；

金属氧化物半导体层，具有第一通道区；

第一栅极，对应该第一通道区；以及

栅极绝缘层，位于该第一栅极与该金属氧化物半导体层之间，其中该栅极绝缘层包含第一氮化硅层与第一氧化硅层，该第一氧化硅层位于该第一氮化硅层与该金属氧化物半导体层之间；

多晶硅晶体管，设置在该基板上；以及

氮化硅绝缘层，位于该金属氧化物晶体管与该多晶硅晶体管上，其中在该开口区中该氮化硅绝缘层直接接触该第一氮化硅层；

对向基板结构；以及

显示介质，位于该基板结构与该对向基板结构之间。

12.如权利要求11所述的显示装置，其中该多晶硅晶体管包括：

多晶硅半导体层，具有第二通道区；以及

第二栅极，对应该第二通道区；

其中该多晶硅半导体层位于该基板与该第二栅极之间，该金属氧化物半导体层位于该基板与该第一栅极上。