[发明专利]显示装置

说明书

本发明公开一种显示装置，包含：基板结构，包括：基板，具有多个像素，且每一像素具有开口区；金属氧化物晶体管，设置在基板上且包括；金属氧化物半导体层，具有第一通道区；第一栅极，对应第一通道区；以及氧化硅绝缘层，位于金属氧化物半导体层上，其中氧化硅绝缘层具有开口，且开口对应开口区设置；以及多晶硅晶体管，设置在基板上；对向基板结构；以及显示介质，位于基板结构与对向基板结构之间。

技术领域

本发明涉及显示装置，特别是涉及其阵列基板结构。

背景技术

目前常见的薄膜液晶显示器(TFT－LCD)其制作工艺可分为三大流程，第一段为驱动、显示信号制作的阵列(Array)基板制作工艺及彩色滤光基板制作工艺，第二段为液晶控制、充填与封合的液晶面板(Cell)制作工艺；第三段则是偏光片、背光模块与液晶面板组装的模块化(Module)组装制作工艺。在阵列基板制作工艺中，常采用氧化硅层与氮化硅层作为不同导电层之间的绝缘层。然而氧化硅层与氮化硅层的折射率不同，两者的界面易使光线部分反射而无法完全穿过。如此一来，将降低阵列基板的像素开口区的开口率。

综上所述，目前亟需新的阵列基板结构克服上述问题。

发明内容

本发明一实施例提供的显示装置，包含：基板结构，包括：基板，具有像素，且像素具有开口区；金属氧化物晶体管，设置在基板上且包括；金属氧化物半导体层，具有第一通道区；第一栅极，对应第一通道区；以及氧化硅绝缘层，位于金属氧化物半导体层上，其中氧化硅绝缘层具有开口，且开口对应开口区设置；以及多晶硅晶体管，设置在基板上；对向基板结构；以及显示介质，位于基板结构与对向基板结构之间。

本发明一实施例提供的显示装置，包含：基板结构，包括：基板，具有像素，且像素具有开口区；金属氧化物晶体管，设置在基板上且包括；金属氧化物半导体层，具有第一通道区；第一栅极，对应第一通道区；以及栅极绝缘层，位于第一栅极与金属氧化物半导体层之间，其中栅极绝缘层包含第一氮化硅层与第一氧化硅层，第一氧化硅层位于第一氮化硅层与金属氧化物半导体层之间；多晶硅晶体管，设置在基板上；以及氮化硅绝缘层，位于金属氧化物晶体管与多晶硅晶体管上，其中开口区中的氮化硅绝缘层直接接触第一氮化硅层；对向基板结构；以及显示介质，位于基板结构与对向基板结构之间。

附图说明

图1至图8与图12至图19为本发明实施例中，阵列基板结构的剖视图；

图9A至图9J、图10A至图10C、与图11A至图11B为本发明实施例中，阵列基板结构的制作工艺剖视图；

图20为本发明实施例中，多晶硅晶体管与金属氧化物晶体管均采用底栅极的设计的剖视图；

图21为本发明一实施例中，显示装置的示意图。

符号说明

14 遮光层

10a 像素区

10b 驱动电路

11a 金属氧化物晶体管

11n、11p 多晶硅晶体管

11o 开口区

13 基板

15、15a、15b、19a、19b、19c 缓冲层

17 多晶硅层